A COMPARISON STUDY OF THE FEATURES OF DC/DC SYSTEMS WITH SI IGBT AND SIC MOSFET TRANSISTORS

Abstract

This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.<br/><br/>

Authors and Affiliations

Karol Fatyga, Łukasz Kwaśny, Bartłomiej Stefańczak

Keywords

Related Articles

MODEL APLIKACJI NA URZĄDZENIA MOBILNE Z SYSTEMEM OPERACYJNYM ANDROID DO ZASTOSOWAŃ W MONITORINGU ŚRODOWISKOWYM PACJENTA

Zastosowanie urządzeń typu smartfon w telemedycznych systemach nadzorujących stan zdrowia pacjenta wymaga stworzenia odpowiedniej aplikacji pracującej pod kontrolą systemów operacyjnych tych urządzeń. Poniższy artykuł za...

ZASTOSOWANIE WYŁADOWANIA ELEKTRYCZNEGO DO OZONOWANIA GLEBY

W niniejszym opracowaniu, opisano badania wpływu obróbki ozonem na własności fizyczne gleby. Do ozonowania gleby wykorzystaliśmy pojemnik kwarcowy. Ilość gleby poddanej działaniu ozonu wynosiła 100g, a czas oddziaływania...

ANALIZA WPŁYWU KSZTAŁTU PĘTLI HISTEREZY NA ZAWARTOŚĆ WYŻSZYCH HARMONICZNYCH PRĄDU I NAPIĘCIA W TRANSFORMATORZE

W artykule przedstawiono rezultaty badań symulacyjnych mających na celu określenie wpływu kształtu krzywej magnesowania z uwzględnieniem pętli histerezy magnetycznej na odkształcenie prądów i napięć w transformatorze. Po...

UTILIZATION IONEX FILE FOR POSITIONING CORRECTION OVER RYKI DISTRICT AREA

Article presents studies results regard to standalone positioning correction over Ryki District area. In the experiment GPS code observations from RYKI reference station were utilized. Station coordinates were estimated...

DWUKIERUNKOWA PRZETWORNICA DC/DC Z WYKORZYSTANIEM ELEMENTÓW SIC

W artykule opisane zostały prace nad rozwojem przetwornicy o wysokiej częstotliwości łączeń z wykorzystaniem półprzewodników z węglika krzemu. Układ przystosowano do współpracy z magazynem energii, będącym częścią m...

Download PDF file
  • EP ID EP346450
  • DOI 10.5604/01.3001.0012.0715
  • Views 84
  • Downloads 0

How To Cite

Karol Fatyga, Łukasz Kwaśny, Bartłomiej Stefańczak (2018). A COMPARISON STUDY OF THE FEATURES OF DC/DC SYSTEMS WITH SI IGBT AND SIC MOSFET TRANSISTORS. Informatyka Automatyka Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska, 8(2), 68-71. https://europub.co.uk/articles/-A-346450