Behavioral modeling of stressed MOSFET

Journal Title: Zeszyty Naukowe Warszawskiej Wyższej Szkoły Informatyki - Year 2015, Vol 9, Issue 13

Abstract

In this paper piezoconductivity phenomenon in MOSFET channel is discussed and extension of drain current model with possibility of stress consideration is proposed. Analysis of obtained model combined with examination of stress components inherent in the MOSFET channel as well as distributions of specific piezoconductance coefficients on a plane of channel can show which directions of transistor channel are desirable for improvement of MOSFET performances. This model gives possibility to predict optimal transistor channel orientation, for the given stress state in MOSFET channel. Possible simplification of this model is considered. In particular, stress state and significant piezoconductance coefficient distributions on planes {100}, {110} as well as {111} are analyzed. For assumed particular cases of stress state in the channel, final models of MOSFT for considered specific planes are given.

Authors and Affiliations

Zenon Gniazdowski

Keywords

Related Articles

Ontologia cyberprzestrzeni

W artykule przedstawiono podstawy ontologii cyberprzestrzeni oraz propozycje ujęcia jej istoty jako megasieci i systemu złożonego oraz koncepcję ewolucji cyberprzestrzeni.

Simulation studies of EDF scheduler with different deadline distributions

In this work we perform extensive simulation studies to evaluate the mean packet waiting time in a system composed of two queues and Earliest Deadline First scheduler with different deadline distributions. The investigat...

Extension of the one-dimensional Stoney algorithm to a two-dimensional case

This article presents the extension of the one-dimensional Stoney algorithm to a two-dimensional case. The proposed extension consists in modifying the method of curvature estimation. The surface profile of the wafer bef...

Architektura i zasada działania systemu IP Multimedia Subsystem

W niniejszym opracowaniu przedstawiono koncepcję systemu IP Multimedia Subsystem, skrótowy opis jego architektury, zasady działania, podstawowe scenariusze sygnalizacyjne oraz sposób realizacji usług. Opisywane koncepcje...

Porównanie wydajności algorytmu k-means zaimplementowanego w języku X10 i środowisku C++/MPI

W pracy opisano algorytm k-średnich oraz sposób jego implementacji w języku X10. Dokonano porównania tego rozwiązania z implementacją w języku C++11 z wykorzystaniem standardu MPI. Stwierdzono, że implementacja w języku...

Download PDF file
  • EP ID EP175070
  • DOI 10.26348/znwwsi.13.103
  • Views 95
  • Downloads 0

How To Cite

Zenon Gniazdowski (2015). Behavioral modeling of stressed MOSFET. Zeszyty Naukowe Warszawskiej Wyższej Szkoły Informatyki, 9(13), 103-126. https://europub.co.uk/articles/-A-175070