Behavioral modeling of stressed MOSFET

Journal Title: Zeszyty Naukowe Warszawskiej Wyższej Szkoły Informatyki - Year 2015, Vol 9, Issue 13

Abstract

In this paper piezoconductivity phenomenon in MOSFET channel is discussed and extension of drain current model with possibility of stress consideration is proposed. Analysis of obtained model combined with examination of stress components inherent in the MOSFET channel as well as distributions of specific piezoconductance coefficients on a plane of channel can show which directions of transistor channel are desirable for improvement of MOSFET performances. This model gives possibility to predict optimal transistor channel orientation, for the given stress state in MOSFET channel. Possible simplification of this model is considered. In particular, stress state and significant piezoconductance coefficient distributions on planes {100}, {110} as well as {111} are analyzed. For assumed particular cases of stress state in the channel, final models of MOSFT for considered specific planes are given.

Authors and Affiliations

Zenon Gniazdowski

Keywords

Related Articles

Ontologia wiedzy ukrytej dla działu serwisowego w przedsiębiorstwie produkcyjnym

W artykule przedstawiono model ontologii wiedzy ukrytej w notacji UML dla działu serwisowego przedsiębiorstwa produkcyjnego. W pierwszej części artykułu została przeprowadzona analiza literatury przedmiotu w zakresie ont...

Symulowane wyżarzanie dla problemu harmonogramowania projektu z ograniczonymi zasobami

W artykule przedstawiony jest problem harmonogramowania projektu z ograniczonymi zasobami z kryterium minimalizacji czasu trwania przedsięwzięcia. Do rozwiązania zagadnienia stosowany jest algorytm symulowanego wyżarzani...

Ocena jakości usług telefonii pakietowej

W artykule kompleksowo opisano podejście do zagadnienia oceny jakości usług telefonii pakietowej. Na wstępnie dokonano systematyki pojęć związanych z oceną jakości, wyjaśniając m.in. różnicę pomiędzy używanymi w tym kont...

Bezpieczeństwo zasobów informacyjnych determinantą informatycznych technologii zarządzania

W artykule przedstawiono problem bezpieczeństwa zasobów informacyjnych w kontekście wykorzystania informatycznych systemów wspomagających zarządzanie. Skoncentrowano się na metodach i technikach zapewniania ciągłości dzi...

Analiza metod e-learningowych stosowanych w kształceniu osób dorosłych

W opracowaniu scharakteryzowano współcześnie stosowane metody, techniki i narzędzia e-learningu, które mogą zostać wykorzystane do celów projektu „Efektywni 50+” realizowanego przez WWSI. Zaprezentowano zarys historii zd...

Download PDF file
  • EP ID EP175070
  • DOI 10.26348/znwwsi.13.103
  • Views 100
  • Downloads 0

How To Cite

Zenon Gniazdowski (2015). Behavioral modeling of stressed MOSFET. Zeszyty Naukowe Warszawskiej Wyższej Szkoły Informatyki, 9(13), 103-126. https://europub.co.uk/articles/-A-175070