Двочастотний лазер на барвнику для спектроскопії атомів цинку в триплетних рідбергівських станах 3 012 n P
Journal Title: Вісник Харківського національного університету імені В.Н. Каразіна. Серія “Радіофізика та електроніка” - Year 2017, Vol 1, Issue 26
Abstract
В даній статті наведено опис імпульсного лазера на розчині барвника Coumarin 153. Лазер має незалежне налаштування частот і працює на 2х частотах в діапазоні довжин хвиль λ = 452-493 нм. У статті розглядаються основні переваги та недоліки даного лазера. Лазер призначений для збудження атомів цинку зі стану 4 3 P 0 , до рідбергівских станах n 3 P 012 . Наведений в роботі метод є нетрадиційним для збудження Zn I в триплетні nS і nP стану. У статті показано, що застосування даного методу з використанням двочастотного лазера істотно спрощує збудження атомів цинку в триплетні рідбергівски стани n 3 P 012 .
Authors and Affiliations
А. І. Ткачев, Л. М. Погребняк, В. І. Кисленко
Keywords
Related Articles
- EP ID EP486808
- DOI -
- Views 52
- Downloads 0
Зоны излучения импульсного излучателя малых электрических размеров
Методом векторного потенциала во временной области решена задача об излучении тонкого импульсного излучателя малых электрических размеров с равномерным распределением электрического тока. Сравнивается классическое решени...
Элемент энергонезависимой памяти на основе квантовых точек
В работе предложен перспективный элемент флэш-памяти, использующий в качестве ячейки хранения информации массив самоорганизованных квантовых точек, применяемых как промежуточный слой в структуре полевого транзистора с мо...
Экспериментальные исследования динамической спектральной фильтрации оптических изображений с использованием акустооптического процессора
Экспериментально исследуется процесс управляемой динамической спектральной фильтрации оптических изображений отличающихся различными спектральными свойствами. Аппаратная функция акустооптического процессора формировалась...
Влияние ударной ионизации на генерацию диодов на основе нитридов
Рассматривается работа диодов на основе соединений AlGaN и InGaN в режиме с ограничением накопления объемного заряда. Анализируется эффективность генерации диодов с учетом возможности возникновения ударной ионизации. Ана...
Влияние глобальной сейсмической активности на ионосферу
Рассмотрено влияние на ионосферу резких усилений глобальной сейсмической активности. Для анализа использованы ежедневные данные за период 2007-2015 гг. о критической частоте области F2 в восточном и западном полушариях в...