Effect of Thermal Annealings and Cooling Methods on Electrophysical Parameters of n Si, Doped with Phosphorus Impurity via the Melt and by Nuclear Transmutation Technique

Journal Title: Фізика і хімія твердого тіла - Year 2018, Vol 19, Issue 1

Abstract

The effect of the different regimes of heat treatment on the kinetics of electronic processes in silicon crystals doped with phosphorus impurity via the melt and by nuclear transmutation technique is researched. The most significant influence of cooling under intermediate value of cooling rate (cl 15 оС/min) after high-temperature annealing on the main electrophysical parameters of the transmutation-doped n Si -<P> crystals was established. Features of changes of the anisotropy parameters of mobility and thermal electromotive force measured on silicon crystals of different doping techniques both in the initial state, and after high-temperature annealing when using different cooling rates, were found and explained.

Authors and Affiliations

G. P. Gaidar

Keywords

Related Articles

Properties and Practical Application of Nanoporous Silicate Matrices, Filled withMixture of NaNO2 and BaTiO3 Ferroelectrics. influence of Co- Encapsulation

Results of research the characteristics of MCM-41 porous silica matrix, encapsulated into her pores bysodium nitrite and its mix with barium titanate were presented. Nature of changes the impedance frequencydispersion, e...

Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем

Немає сумніву, що використання технологій польових транзисторів із зотвором Шотткі на GaAs для формування швидкодіючих ВІС має велику перспективу. Не менші перспективи відкриваються перед унікальною за своїми властивостя...

Interaction Studying in System GeO - B2O3 by Spectroscopic Methods

Because of X-ray amorphous character of GeO and B2O3 for study of interaction between them methods of IR transmission spectroscopy and spectroscopy of diffuse reflectance are applied. Essential change of positionand inte...

Розробка композиційних порошкових матеріалів електротехнічного призначення

Робота присвячена розробці порошкових магнітно-м’яких матеріалів на основі композиційних залізних порошків для роботи в постійних та змінних полях промислової частоти. На основі результатів досліджень обґрунтовано і експ...

The Influence of Surface on Scattering of Carriers and Kinetic Effects in n-PbTe Films

Based on the Fuchs-Sondheimer and Mayer models the influence of mechanisms of surface reflection of electrons on the experimental transport and thermoelectric properties of n-PbTe films on various substrates are substrat...

Download PDF file
  • EP ID EP328199
  • DOI 10.15330/pcss.19.1.40-47
  • Views 96
  • Downloads 0

How To Cite

G. P. Gaidar (2018). Effect of Thermal Annealings and Cooling Methods on Electrophysical Parameters of n Si, Doped with Phosphorus Impurity via the Melt and by Nuclear Transmutation Technique. Фізика і хімія твердого тіла, 19(1), 40-47. https://europub.co.uk/articles/-A-328199