МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ И НАДЕЖНОСТИ ИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ GaInAsP
Journal Title: Наукові праці ОНАЗ ім. О.С. Попова - Year 2019, Vol 1, Issue 1
Abstract
Величина квантового выхода электролюминесценции полупроводниковых излучателей оптического диапазона определяется параметрами нескольких этапов процесса преобразования электрической энергии в энергию оптического излучения. Для повышения эффективности и стабильности излучающих диодов исследовались потери на отдельных этапах указанного процесса. При получении сведений о распределении примесей в p-n-переходах светоизлучающих диодов измерялись вольтфарадные характеристики. В исследованных излучателях получено линейное распределение примеси в p-n-переходе. Изучены электрические и электролюминесцентные характеристики излучающих диодов на основе GaInAsP. Проведено выяснение механизма деградации диодов при токовой их тренировке в течение 3000 час., при различных плотностях тока и температурах на интенсивность излучения, измеряемую при низком и высоком уровнях инжекции, на величину фототока p-n-переходов и на их электрические характеристики. Показано, что деградация исследованных излучателей обусловлена изменением соотношения между излучательной и безызлучательной компонентами тока в p-n-переходах, а также изменением времени жизни электронов в активной области гетероструктур. Кинетика деградации диодов объясняется дрейфом заряженных дефектов в электрическом поле. Получено, что уменьшение квантовой эффективности диодов на основе GaInAsP при снижении уровня инжекции связано с наличием локальных сужений p-n-переходов. Показано, что для уменьшения деградации излучающих диодов и для повышения их квантовой эффективности при низких уровнях инжекции необходимо уменьшить концентрацию остаточных примесей и дефектов кристаллической решетки в используемых полупроводниковых гетероструктурах.
Authors and Affiliations
Vasyl Irkha
Keywords
Related Articles
- EP ID EP657583
- DOI -
- Views 90
- Downloads 0
ШИРОКОПОЛОСНАЯ КОЛЬЦЕВАЯ ЩЕЛЕВАЯ АНТЕННА
Рассмотрены свойства антенны в виде кругового щелевого кольца переменной ширины, прорезанного в плоском экране из хорошо проводящего материала. Внешний радиус щелевого кольца равен четверти длины волны принятой за ос...
МОДЕЛЬ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ МЕТАЛЛОВ
Названы наиболее важные явления, наблюдаемые в металлах. Рассмотрено распределение электронов в типичном металле в пространстве импульсов с использованием стати- стики Ферми-Дирака. Показано изменение этого распределения...
TEMPERATURE INFLUENCE ON GEOMETRIC SIZES OF CORE ELEMENTS AND THE OPTICAL CABLE RELATIVE ELONGATION
The research of thermomechanical influence on geometrical sizes of core elements of an optical cable (ОC) design is done in the work. It allowed improving the expression for calculating the permissible relative cable elo...
A STUDY OF SOFTWARE DEVELOPMENT TOOLS THAT ARE REQUIRED IN THE JOB MARKET IN UKRAINE AND THE WORLD
The article investigates the direction of modern web and software development. The works of domestic and foreign scientists devoted to the study of prospective directions of IT development are analyzed. It is revealed th...
COMPENSATION OF CROSSTALK IN THE MULTI-BUNDLE DOMESTIC TELEPHONE CABLES
Mathematical models of the «vectoring» crosstalk compensation system for TPP-50х2 and TPP-100х2 multi-bundle telephone cables are developed. Simplified calculation formulas for the total power of the far end crosstalk an...