Нестехиометрический оксид кремния SiOx (x < 2)

Journal Title: Поверхня - Year 2018, Vol 25, Issue 10

Abstract

Обзор посвящен анализу экспериментально и теоретически полученных данных относительно методов синтеза, структуры и свойств нестехиометрического оксида кремния SiOx (x<2) в широком диапазоне содержания кислорода. Описаны основные области применения субоксида кремния в микро- и оптоэлектронике, в частности, при изготовлении солнечных элементов. Рассмотрены преимущества и недостатки основных теоретических моделей, используемых при рассмотрении свойств SiOx – модели случайных связей и модели случайных смесей. Показано, что ни одна из этих моделей не позволяет воспроизвести положение линии Si2p-остовного уровня образцов SiOx при различных значениях x в экспериментально полученном фотоэлектронном спектре. Описана также так называемая промежуточная модель, результат применения которой дает наглядную двумерную картину элементного состава поверхности и зависимость положения дна зоны проводимости и верхнего уровня валентной зоны образцов SiOx. Получены и проанализированы ИК-спектры различных образцов SiOx, что позволило использовать колебательную спектроскопию для установления их структурных особенностей и определения концентрации кислорода в них. Проанализированы энергетические эффекты реакций диспропорционирования Si2+ + Si2+ → Si+ + Si3+ и Si+–Si3+ → Si0–Si4+, в рамках которых появляется возможность объяснить механизм образования нанокластеров кремния в объемной фазе SiOx. Результаты расчетов методом теории функционала плотности показали, что тетраэдрическое окружение атома кремния атомами Si может произойти лишь при содержании этих атомов в кластере более 5.

Authors and Affiliations

O. V. Filonenko, V. V. Lobanov

Keywords

Related Articles

Розсіяння світла на шорсткій поверхні кварцу синусоїдальної форми, покритої тонким шаром золота

Описана чисельна процедура розрахунку розсіяння світла на шорсткій поверхні кварцу, покритої тонким шаром золота. Використано кінцево-елементний підхід для розв’язку двовимірного векторного рівняння Гельмгольця. Профіль...

Дослідження частинок на поверхні Ni-Fe каталізаторів гідрогенування СО2 методом ТД МС аналізу

Методом термопрограмованої десорбційної мас-спектрометрії (ТД МС) досліджено стан поверхні Ni-Fe каталізаторів реакції гідрогенування СО2. На ТД спектрах зареєстровано десорбцію частинок CO2 (m/z = 44), CO (m/z = 28) та...

Поглинання та релаксація енергії лазерного випромінювання в речовині (огляд)

Детально розглядається кожен з етапів взаємодії лазерного випромінювання з поверхнею поглинаючого середовища. Спочатку аналізуються процеси, що відбуваються всередині як електронної, так і фононної підсистем, потім імпул...

Элементарные акты реакции восстановления молекулярного кислорода на допированном азотом sp2-углеродном кластере: квантовохимическое исследование

Методом теории функционала плотности (B3LYP, 6-31 G**) выполнены расчеты пространственного и электронного строения комплексов молекулы кислорода с молекулой коронена и с ее азотсодержащим аналогом, в котором два атома аз...

Влияние допирования ионами марганца на структуру, оптические и фотокаталити-ческие свойства мезопористых TiO2 пленок

Оптически прозрачные, однородные мезопористые пленки ТіО2, модифицированные ионами Мn2+, полученные золь-гель методом и охарактеризованы методами оптической, рентгеновской и рамановской спектроскопии. Каталитическая акти...

Download PDF file
  • EP ID EP463583
  • DOI 10.15407/Surface.2018.10.118
  • Views 158
  • Downloads 0

How To Cite

O. V. Filonenko, V. V. Lobanov (2018). Нестехиометрический оксид кремния SiOx (x < 2). Поверхня, 25(10), 118-136. https://europub.co.uk/articles/-A-463583