Прогнозування та реалізація магнетонечутливих термоелементів на основі термометричного матеріалу Zr1-xLuxNiSn
Journal Title: Вимірювальна техніка та метрологія - Year 2011, Vol 1, Issue 72
Abstract
The temperature and concentration dependencies of resistivity, thermopower and also power descriptions of Zr1-xLuxNiSn semiconductor in range, T = 80 - 400 K, were investigated.
Authors and Affiliations
Роман Крайовський, Володимир Ромака
Keywords
Related Articles
- EP ID EP196668
- DOI -
- Views 62
- Downloads 0
ARDUINO BASED AUTOMATED TEMPERATURE CONTROLLER SYSTEM FOR CRYOSTAT
An automated cryostat temperature control system for low-temperature galvanomagnetic measurements has been proposed. The automated system works autonomously with a microcontroller. A system for controlling the power of t...
МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ПАРАЗИТНИХ МІЖЕЛЕКТРОДНИХ ЄМНОСТЕЙ В ЛОГАРИФМІЧНИХ АЦП З НАКОПИЧЕННЯМ ЗАРЯДУ З ІМПУЛЬСНИМ ЗВОРОТНИМ ЗВ‘ЯЗКОМ
The mathematical models of errors of logarithmic ADC, based on accumulation of a charge and pulse feedback are offered, the results of modelling are presented and the valuation of accuracy are given.
ІСТОРИЧНІ ПОСТАТІ У ЦАРИНІ МЕТРОЛОГІЇ ГАЛИЧИНИ – ПРОФЕСОР ДОКТОР Й. К. ЛІСҐАНІҐ (1719–1799)
In 2019, 100 years since the founding of the Department of Information and Measurement Technologies of the Lviv Polytechnic National University, there is an urgent need to look back in the historical persp...
УНІВЕРСАЛЬНИЙ РЕКОНФІГУРОВАНИЙ ЦИФРОВИЙ ПРИСТРІЙ
The universal reconfigurable digital device is consider.
АНІЛІЗ НАПРЯМІВ РОЗВИТКУ ВИЗНАЧЕННЯ ОДИНИЦІ ТЕРМОДИНАМІЧНОЇ ТЕМПЕРАТУРИ КЕЛЬВІН
The article investigates the development unit of thermodynamic temperature determination. The ones defined by Kelvin definition of SI. The new definition of the unit of thermodynamic temperature through the Boltzmann con...