STABILIZATION OF SELECTED PARAMETERS ELECTRON BEAM ION SOURCES
Journal Title: Informatyka Automatyka Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska - Year 2012, Vol 2, Issue 4
Abstract
This paper presents an overview of the vacuum measurement instruments using electron – impact gas ion sources, especially examples of the ion sources and biasing systems. Based on the analysis results a new thermionic emission current detection method to implementation in stabilizer of ionizing beam intensity and electron energy has been proposed.
Authors and Affiliations
Dariusz Kuś, Jarosław Sikora
OPRACOWANIE METODY POŚREDNIEGO STEGANOGRAFICZNEGO UKRYWANIA DANYCH W INFORMACJI O KONTURZE
Artykuł dotyczy konieczności stosowania cyfrowych metod steganograficznych do ochrony informacji w systemach o krytycznym znaczeniu. Pokazano zalety używania osadzania danych w kontenerze w postaci obrazu. Przeanalizowan...
THREE-DIMENSIONAL MODELLING OF THERMAL STRESSES IN A PLANAR SOLID OXIDE FUEL CELL OF A NOVEL DESIGN
The presented modelling investigation was carried out to analyze thermal stresses and expansion in an anode supported planar Solid Oxide Fuel Cell (pSOFC). The temperature distribution was based on previously develo...
SPRAWNOŚĆ SYSTEMÓW FOTOWOLTAICZNYCH - WYBRANE ZAGADNIENIA
W artykule podjęto rozważania nad możliwościami zwiększenia ilości energii wyprodukowanej w systemie fotowoltaicznym przy zmianie wybranych parametrów. Przedstawione zostały podstawowe konfiguracje systemów fotowoltaicz...
SELECTION OF COMPENSATION WIND FARM EQUIPMENT CONNECTED TO THE NETWORK 110 KV
Wind energy in Poland began to develop in the early 90s of the twentieth century, but its dynamic growth can be observed in subsequent years. At the end of 2014, the total installed capacity in wind farms in Poland...
THE DESIGN OF READOUT FRONT-END ELECTRONICS FOR TIME AND ENERGY MEASUREMENTS FOR SEMICONDUCTOR STRIP DETECTORS
This work presents the design of the readout front-end electronics for time and energy measurements dedicated for double-sided strip detectors implemented in submicron technology UMC 180 nm CMOS. The simultaneous and acc...