СХОДИМОСТЬ ИТЕРАТИВНОГО ОБОБЩЁННОГО МЕТОДА КАНТОРОВИЧА ПРИ РЕШЕНИИ УРАВНЕНИЙ КАРМАНА
Journal Title: Вісник Запорізького національного університету. Фізико-математичні науки - Year 2017, Vol 1, Issue
Abstract
В работе устанавливается возможность применения итеративного обобщённого метода Канторовича к анализу уравнений Кармана. Доказывается, что последовательность приближений к решению, порождаемая указанным методом, сходится в норме специального энергетического пространства.
Authors and Affiliations
В. А. Громов
Keywords
Related Articles
- EP ID EP456927
- DOI -
- Views 109
- Downloads 0
НЕСТАЦІОНАРНА ДЕФОРМАЦІЯ ЦИЛІНДРИЧНОЇ ОБОЛОНКИ У ПРУЖНОМУ ПІВПРОСТОРІ ПІД ДІЄЮ НОРМАЛЬНИХ ПОВЕРХНЕВИХ НАВАНТАЖЕНЬ
Розглядається тривимірний пружний півпростір з циліндричною порожниною, яка підкріплена оболонкою, причому вісь оболонки розташована перпендикулярно до площини, що обмежує півпростір. Розглянуто випадки, коли на поверхню...
ПРОЧНОСТЬ УПРУГО-ПЛАСТИЧЕСКИХ ПЛАСТИН С ДВУМЯ ПЕРПЕНДИКУЛЯРНЫМИ РАЗРЕЗАМИ (ТОНКИМИ ЖЕСТКИМИ ВКЛЮЧЕНИЯМИ) ПРИ ВСЕСТОРОННЕМ РАСТЯЖЕНИИ
Развито применение вариационно-разностного метода к решению задач теории малых упруго-пластических деформаций для линейно упрочняющихся пластин с разрезами (или такими же по размерам тонкими абсолютно жесткими включениям...
ЕДИНИЧНЫЕ И ИЗОМЕТРИЧЕСКИЕ ЦИКЛЫ В ГРАФЕ
В данной работе рассматриваются свойства изометрических циклов в графе. Представлен алгоритм выделения множества изометрических циклов в графе. Для графов с циклическими фрагментами вводится понятие единичного цикла. Пре...
ВЫНУЖДЕННЫЕ КОЛЕБАНИЯ И ДИССИПАТИВНЫЙ РАЗОГРЕВ ШАРНИРНО ОПЕРТОЙ ВЯЗКОУПРУГОЙ ПЛАСТИНЫ С ПЬЕЗОСЕНСОРАМИ С УЧЕТОМ ГЕОМЕТРИЧЕСКОЙ НЕЛИНЕЙНОСТИ И ДЕФОРМАЦИЙ ПОПЕРЕЧНОГО СДВИГА
Представлена модель вынужденных резонансных колебаний и виброразогрева вязкоупругих пластин с пьезосенсорами с учетом геометрической нелинейности и деформаций поперечного сдвига. Методом Бубнова-Галеркина получено прибл...
ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ СВОЙСТВ GaSe ЗА СЧЕТ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ
В воздухе или в другой среде на поверхности полупроводника появляется окислительный слой, приводит к снижению скорости прохождения процессов, которые могут происходить на поверхностных слоях при окислительно-восстановите...