THE DESIGN OF READOUT FRONT-END ELECTRONICS FOR TIME AND ENERGY MEASUREMENTS FOR SEMICONDUCTOR STRIP DETECTORS
Journal Title: Informatyka Automatyka Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska - Year 2013, Vol 3, Issue 4
Abstract
This work presents the design of the readout front-end electronics for time and energy measurements dedicated for double-sided strip detectors implemented in submicron technology UMC 180 nm CMOS. The simultaneous and accurate measurements of time and energy deposited in the detector by a photon requires the use of two different parallel processing paths in the single channel: fast and slow. The designed front-end electronics is characterized by low power dissipation level P=3.2 mW, low noise performance ENC=586 e- rms (for “slow” path and at Cdet=30 pF). The single channel occupies silicon chip area of 50 μm × 1100 μm.
Authors and Affiliations
Rafał Kłeczek
Keywords
Related Articles
- EP ID EP59493
- DOI -
- Views 103
- Downloads 0
SYSTEM DIAGNOSTYKI AWARII TURBINY GAZOWEJ OPARTY NA LOGICE ROZMYTEJ
W artykule zaproponowano metodę parametrycznej diagnostyki turbiny gazowej w oparciu o logikę rozmytą. Opracowana została diagnostyczna mapa połączeń między niektórymi zespołami turbiny gazowej oraz zmianami odpowiednich...
METHOD AND MEANS OF MEASURING SMALL QUANTITIES OF ELECTRICAL RESISTANCE
The paper presents the results of developing simulation of a system for measuring small quantities of electrical resistance using technology of microelectromechanical systems (MEMS). It also offers the analysis and evalu...
Analiza widmowych składowych zespolonych obwodu elektrycznego zawierającego kondensator z wibrującą okładką
Technika analizy zespolonych składowych widmowych została wykorzystana do matematycznej analizy obwodu elektrycznego zawierającego kondensator z wibrującą okładką. Otrzymano funkcję przetwarzania takiego układu. Amplitu...
WYZNACZANIE CHARAKTERYSTYK R = F(T) TAŚM NADPRZEWODNIKOWYCH PIERWSZEJ I DRUGIEJ GENERACJI
W artykule przedstawiono eksperymentalnie wyznaczone charakterystyki R = f(T) taśm nadprzewodnikowych pierwszej (1G) i drugiej generacji (2G). W pracy opisano sposób przygotowania próbek taśm nadprzewodnikowych 1G i 2G d...
EWOLUCJA MODELU SYMULACYJNEGO SYSTEMU SAMOREGULACJI NAPRĘŻENIA TAŚMY W TRYBIE DYNAMICZNYM W LINII CIĄGŁEGO CYNKOWANIA NA GORĄCO
W artykule rozpatrzono cechy szczególne konstruowania modelu symulacyjnego systemu regulacji naprężenia taśmy w linii ciągłej cynkowania na gorąco. Przedstawiono wyniki badań symulacyjnych.