ВПЛИВ ПОСТ-ТЕХНОЛОГІЧНОГО ВІДПАЛУ НА СПЕКТРИ КОМБІНАЦІЙНОГО РОЗСІЯННЯ Cu2ZnSnS4, ОТРИМАНОГО МЕТОДОМ СВС
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
В роботі досліджено можливість отримання четверних сполук Cu2ZnSnS4 із структурою кестериту методом високотемпературного синтезу що самопоширюється. З даних Раманівського розсіювання світла встановлено, що синтезований матеріал має велику кількість вторинних фаз. Наступний відпал отриманих сполук призводить до значного покращення структурних характеристик Cu2ZnSnS4. При цьому спостерігається збільшення інтенсивності піку від структури кестерит та зменшення піків від вторинних фаз.
Authors and Affiliations
Ю. Ю. БАЧЕРИКОВ, О. Б. ОХРИМЕНКО, Валерій Кідалов, Н. В. ДОРОШКЕВИЧ, А. Г. ЖУК, Алена ДЯДЕНЧУК
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539754
- DOI -
- Views 158
- Downloads 0
ВИМІРЮВАЛЬНАСИСТЕМА АБСОЛЮТНОГО ЕНКОДЕРА
Перетворювачі кутових переміщень широко застосовуються у всіх галузях промисловості і є невід'ємною частиною систем автоматизації виробничих процесів. Особливий економічний ефект від використання енкодерів дає застосуван...
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ СИСТЕМЫ Cu2ZnSnS4 - Cu2ZnSnSe4
Направленной кристаллизацией расплава выращены кристаллы соединений Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 и твердых растворов Cu2ZnSnS4хSe4(1-х). Методом микрорентгеноспектрального анализа определен состав полученных кристаллов, рентген...
ТЕХНОЛОГІЯ І ВЛАСТИВОСТІ НИЗЬКО-РОЗМІРНИХ КОМПОЗИТНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ З ОКИСДНИМИ ПЛІВКАМИ TiO2
Проведено дослідження низько-розмірних композитних структур на основі пористого кремнію з оксидними плівками TiO2, одержання яких є перспективним для використання у якості підзатворного діелектрика в КМОН технології. Дос...
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщи...
ХАЛЬКОГЕНІДНІ СТЕКЛА ЛЕГОВАНІ ДРІБНОДИСПЕРСНИМ ZnS:Mn
В роботі проведенні дослідження халькогенідних стекол As-S, легованих дрібнодисперсним ZnS:Mn. Частинки сульфіду цинку вводились в халькогенідне скло двома способами: в процесі синтезу, і введенням частинок в розплав скл...