ВПЛИВ ПОСТ-ТЕХНОЛОГІЧНОГО ВІДПАЛУ НА СПЕКТРИ КОМБІНАЦІЙНОГО РОЗСІЯННЯ Cu2ZnSnS4, ОТРИМАНОГО МЕТОДОМ СВС
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
В роботі досліджено можливість отримання четверних сполук Cu2ZnSnS4 із структурою кестериту методом високотемпературного синтезу що самопоширюється. З даних Раманівського розсіювання світла встановлено, що синтезований матеріал має велику кількість вторинних фаз. Наступний відпал отриманих сполук призводить до значного покращення структурних характеристик Cu2ZnSnS4. При цьому спостерігається збільшення інтенсивності піку від структури кестерит та зменшення піків від вторинних фаз.
Authors and Affiliations
Ю. Ю. БАЧЕРИКОВ, О. Б. ОХРИМЕНКО, Валерій Кідалов, Н. В. ДОРОШКЕВИЧ, А. Г. ЖУК, Алена ДЯДЕНЧУК
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539754
- DOI -
- Views 161
- Downloads 0
МІКРОЕЛЕКТРОННИЙ ПРИЛАД КОНТРОЛЮ ІНТЕНСИВНОСТІ ІОНІЗУЮЧОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ
Розробка мікроелектронних приладів, які відрізняються високою чутливістю та точністю з енергозберігаючою системою живлення є важливим технічним завданням сучасності.
СТРУКТУРНА ПЕРЕБУДОВА МІКРОКЛАСТЕРІВ КРЕМНІЮ ПІДЧАС ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛА
Запропонована та досліджена імовірнісна модель розподілу мікрокластерів у формі ланцюжків з ковалентними міжатомними зв’язками в розплаві кремнію. Показано, що при температурах біля T = 1688 К в процесі вирощування монок...
МОДЕЛЮВАННЯ РОБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ, ВИКОНАНИХ НА БАЗІ СТРУКТУРИ SnS/ZnS/FTO
Проведене числове моделювання таких експлуатаційних характеристик фотоелектричних перетворювачів, виконаних на базі структури SnS/ZnS/FTO, як: густина струму короткого замикання, напруга холостого ходу, фактор заповнення...
ДОСЛІДЖЕННЯ КОДЕРІВ ЦИФРОВИХ ДАНИХ НА ОСНОВІ СКРЕМБЛЕРІВ
Проведено дослідження скремблірів на основі схемо технічного моделювання. Показано, що найбільш ефективним є варіант з 7 регістрами, 3 з яких створюють зворотний зв'язок за схемами 1000011; 1001001; 1100001.
THE USE OF RAPID THERMAL ANNEALING FOR THE FORMATION OF OXIDE FILMS IN THE STRUCTURE Dy2O3/por-SiC/SiC
Using Auger spectrometry techniques, we studied the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of dysprosium oxide films deposited onto a por-SiC/SiC. An analysis of atomic composition of the films under i...