ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ РІВНОМІРНОСТІ НАГРІВУ ТА ТОЧНОГО ВИМІРЮВАННЯ ТЕМПЕРАТУРИ НАНОЧАСТИНОК МАГНІТНИХ МАТЕРІАЛІВ ПРИ ПРОЕКТУВАННІ УСТАВ ДЛЯ ЇХ ДОСЛІДЖЕННЯ
Journal Title: Вимірювальна техніка та метрологія - Year 2013, Vol 1, Issue 74
Abstract
In this work common structure of device for thermal properties measurement of magnetic nanoparticles based composites is presented. By means of modeling higher magnetic field uniformity for longer heating coils was shown. Fuorescence-based fiber optic sensor as possible solution of sample temperature measurement problem during high AC magnetic field heating is proposed.
Authors and Affiliations
Ростислав Самченко, Богдан Стадник
Keywords
Related Articles
- EP ID EP197673
- DOI -
- Views 44
- Downloads 0
МОЖЛИВІСТЬ ВИЯВЛЕННЯ ПОТЕНЦІЙНО НЕНАДІЙНИХ ЕЛЕМЕНТІВ ЕЛЕКТРОНІКИ
Hidden defects can turn into obvious defects and characteristics of electronic elements become inappropriate. Therefore, the techniques of non-destructive diagnostics of inner structure state are of great importance. One...
ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОМЕТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ HF1-хErxNiSn
The electron energy state, magnetic and transport characteristics of of thermometric materials Hf1-xErxNiSn were investigated in the T = 80÷400 K temperature range and at charge carriers concentration from x=01÷0.10 and...
КОНТРОЛЬ РОБОТИ АВТОМАТИЗОВАНОГО ОБЛАДНАННЯ ЗА АКУСТИЧНИМИ СИГНАЛАМИ
A method of controlling the production process the acoustic signals that arise when working process equipment and perspectives of further creation of automated production control. The analysis tools LabVIEW programming...
ПОХИБКИ ПРОГНОЗУВАННЯ ЗНАЧЕННЯ ТЕМПЕРАТУРИ НЕЙРОННИМИ МЕРЕЖАМИ ЗА ІДЕАЛЬНИМ ПЕРЕХІДНИМ ПРОЦЕСОМ
The present article describes the results of the study of the prediction error of temperature values using neural networks. In the introduction, the authors point out problems that arise (come up) during the measurement...
Дослідження термометричного матеріалу HfNi1-xRhxSn
The electron energy state, magnetic and transport characteristics of thermometric materials HfNi1-xRhxSn were investigated in the T80¸400 K temperature range and at charge carriers concentration from Rh 9,5 1019 A N ×...