Элемент энергонезависимой памяти на основе квантовых точек
Journal Title: Вісник Харківського національного університету імені В.Н. Каразіна. Серія “Радіофізика та електроніка” - Year 2017, Vol 1, Issue 26
Abstract
В работе предложен перспективный элемент флэш-памяти, использующий в качестве ячейки хранения информации массив самоорганизованных квантовых точек, применяемых как промежуточный слой в структуре полевого транзистора с модулированным легированием. Описаны физические основы хранения информации в предлагаемом элементе памяти. Представлена схематическая структура изучаемого элемента на основе структуры GaAs/AlGaAs MODFET транзистора, а также его функционирование в режиме записи, чтения, стирания и хранения информации. Структуру слоя квантовых точек предлагается выращивать на основе принципа самосогласованного роста Странского-Крастанова. Цикл перезаписи в ячейке памяти на основе квантовой точки осуществляется изменением напряжения на затворе, так же, как и в традиционной флеш-памяти.
Authors and Affiliations
К. Г. Слабый, А. Г. Пащенко
Keywords
Related Articles
- EP ID EP486838
- DOI -
- Views 63
- Downloads 0
Обработка импульсных сигналов при толщинометрии биологических тканей и в неразрушающем контроле
Предложен метод нормировки отраженных сигналов с последующей обработкой согласно ранее разработанным алгоритмам для повышения точности измерений. Основная идея метода состоит в послойном восстановлении физико-геометричес...
Лазерные системы связи с открытым резонатором
Предложена атмосферная лазерная система связи с открытым резонатором, одно из зеркал которого обращает волновой фронт, а в качестве второго зеркала резонатора служит оптика приемной станции системы. Такие системы связи с...
Двочастотний лазер на барвнику для спектроскопії атомів цинку в триплетних рідбергівських станах 3 012 n P
В даній статті наведено опис імпульсного лазера на розчині барвника Coumarin 153. Лазер має незалежне налаштування частот і працює на 2х частотах в діапазоні довжин хвиль λ = 452-493 нм. У статті розглядаються основні пе...
Зоны излучения импульсного излучателя малых электрических размеров
Методом векторного потенциала во временной области решена задача об излучении тонкого импульсного излучателя малых электрических размеров с равномерным распределением электрического тока. Сравнивается классическое решени...
ЧАСТОТНІ МОЖЛИВОСТІ ВАРИЗОННИХ СТРУКТУР З УДАРНОЮ ІОНІЗАЦІЄЮ НА ОСНОВІ GaInAs
Розглядаються кінетичні процеси в потрійній напівпровідниковій сполуці GazIn1-zAs в умовах виникнення ініційованої електронами ударної іонізації. Аналіз роботи діодів проводився із використанням методу Монте-Карло з урах...