FLOATING GATE FLASH MEMORY CELL SIMULATION

Journal Title: Системні технології - Year 2019, Vol 1, Issue 1

Abstract

Flash memory is widely used in computers, information and communication electronic systems as a modern non-volatile memory device that is capable to store data without connection to power supply. For the efficient design of the flash memory devices, an accurate simulation of the memory cells becomes increasingly important. In the present paper, a flash memory cell with the floating gate enveloped by the control gate is simulated using TCAD tools. The memory cell is simulated during programming and erasing operations. I-V and transient characteristics are obtained for various tunnel oxide thicknesses and operating voltages to demonstrate the efficiency of the cell design under consideration.

Authors and Affiliations

Олексій Гниленко

Keywords

Related Articles

ВИКОРИСТАННЯ КЛІТИННИХ АВТОМАТІВ ДЛЯ РОЗПІЗНАВАННЯ СИМВОЛІВ

Розглянуто один із пріоритетних напрямків розпізнавання образів, штучного інтелекту та комп'ютерного зору - оптичне розпізнавання символів. Для вирішення цього питання пропонується застосування клітинних автоматів. Дослі...

Когнитивные модели с параметрической адаптацией к характеристикам личности. Методический аспект. Часть 2

Статья посвящена решению актуальной задачи: повышения качества образования путем создания когнитивной модели с параметрической адаптацией. Данная модель представлена в форме регрессионного уравнения, которое связывает м...

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОЗАВИСИМОСТИ МЕЖДУ КЛАССАМИ В УСЛОВИЯХ ЗАДАЧИ РАСПОЗНАВАНИЯ ПЛОСКИХ СТАЦИОНАРНЫХ ОБЪЕКТОВ С БОЛЬШИМ КОЛИЧЕСТВОМ БИНАРНЫХ ПРИЗНАКОВ

Решается задача распознавания плоских стационарных объектов с большим количеством бинарных признаков с помощью нейронной сети типа когнитрон. В рамках этой задачи исследуется взаимозависимость между распознаваемыми класс...

РОЗПОДІЛ БЮДЖЕТНОГО ФІНАНСУВАННЯ У ВИЩІЙ ОСВІТІ, ЯК ПРОБЛЕМА БАГАТОКРИТЕРІАЛЬНОГО ПРИЙНЯТТЯ РІШЕНЬ

Розглянуто питання, що виникають у зв’язку із змінами механізму бюджетного фінансування закладів вищої освіти. Показано, що новий механізм призводить до необхідності розв’язувати задачу багатокритеріального прийняття ріш...

Системні дослідження напружень в матеріалі шліфувального круга

Статтю присвячено висвітленню питань дослідження розподілу напружень в матеріалі шліфувального круга при дії на нього нормальної та дотичної сили. Встановлено, що напружений стан шліфувального круга зумовлений сумісною д...

Download PDF file
  • EP ID EP531769
  • DOI -
  • Views 61
  • Downloads 0

How To Cite

Олексій Гниленко (2019). FLOATING GATE FLASH MEMORY CELL SIMULATION. Системні технології, 1(1), 81-88. https://europub.co.uk/articles/-A-531769