ФОРМУВАННЯ ІЗОТИПНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ ZNO/SI
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Досліджено початкові стадії росту плівки ZnO на поверхні Si при кімнатній температурі методами AFM, XRR, XRD, SIMS, I-V та C-V. Показано, що діодна характеристика гетероперехіду ZnO/Si утворюватися лише при досягненні певної товщини плівки ZnO.
Authors and Affiliations
О. С. ОБЕРЕМОК, Т. М. САБОВ, О. В. ДУБІКОВСЬКИЙ, В. Г. ПОПОВ, О. Й. ГУДИМЕНКО
ФОРМУВАННЯ ІЗОТИПНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ ZNO/SI
Досліджено початкові стадії росту плівки ZnO на поверхні Si при кімнатній температурі методами AFM, XRR, XRD, SIMS, I-V та C-V. Показано, що діодна характеристика гетероперехіду ZnO/Si утворюватися лише при досягненні пе...
ОТРИМАННЯ ПЛІВОК ZnO НА МАКРОПОРУВАТОМУ Si (100) МЕТОДОМ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РОЗПИЛЕННЯ
У даній роботі методом реактивного магнетронного ВЧ розпилення отримані плівки ZnO на підкладках кремнію орієнтації (100) з попередньо нанесеною системою макропор. Рентгенографічні дослідження ZnO показали, що вони мають...
THE USE OF RAPID THERMAL ANNEALING FOR THE FORMATION OF OXIDE FILMS IN THE STRUCTURE Dy2O3/por-SiC/SiC
Using Auger spectrometry techniques, we studied the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of dysprosium oxide films deposited onto a por-SiC/SiC. An analysis of atomic composition of the films under i...
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщи...
ПЕРЕНЕСЕННЯ ДОМІШКОВИХ АТОМІВ У НЕОДНОРІДНОМУ ПОЛІ МІКРОНАПРУЖЕНЬ ТЕКСТУРОВАНИХ ПОЛІКРИСТАЛІВ
З позиції вирішення статистичної крайової задачі мікромеханіки неоднорідних середовищ запропоновано математичну модель дифузійного перенесення домішок у неоднорідному полі мікронапружень. Розглянуто дифузійне перенесення...