ФОРМУВАННЯ ІЗОТИПНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ ZNO/SI
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Досліджено початкові стадії росту плівки ZnO на поверхні Si при кімнатній температурі методами AFM, XRR, XRD, SIMS, I-V та C-V. Показано, що діодна характеристика гетероперехіду ZnO/Si утворюватися лише при досягненні певної товщини плівки ZnO.
Authors and Affiliations
О. С. ОБЕРЕМОК, Т. М. САБОВ, О. В. ДУБІКОВСЬКИЙ, В. Г. ПОПОВ, О. Й. ГУДИМЕНКО
ДОСЛІДЖЕННЯ КОДЕРІВ ЦИФРОВИХ ДАНИХ НА ОСНОВІ СКРЕМБЛЕРІВ
Проведено дослідження скремблірів на основі схемо технічного моделювання. Показано, що найбільш ефективним є варіант з 7 регістрами, 3 з яких створюють зворотний зв'язок за схемами 1000011; 1001001; 1100001.
ВИРОБНИЦТВО ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ КРЕМНІЮ МЕТОДОМ ХІМІЧНОГО ОСАДЖЕННЯ З ПАРОВОЇ ФАЗИ
Розглянуто сучасний стан технологій формування епітаксійних шарів кремнію. Незважаючи на активні дослідження альтернативних процесів, на сьогодні основною промисловою технологією залишається хімічне осадження з парової ф...
ПЕРЕВІРКА ТОЧНОСТІ ВІДХИЛЕННЯ КАНТИЛЕВЕРУ АТОМНО-СИЛОВОГО МІКРОСКОПУ В ПРОЦЕСІ ДОСЛІДЖЕННЯ РЕЛЬЄФУ НАНОСТРУКТУРОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ
В матеріалах доповіді визначаються параметри, що впливають на точність відхилення кантилеверу атомно-силового мікроскопу та, відповідно, точність дослідження рельєфу наноструктурованих поверхонь. Показано, що найбільший...
РОЗРОБКА МОДЕЛЕЙ ЛЕГУВАННЯ З ВИКОРИСТАННЯМ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ТА ТЕМПЕРАТУРНИХ КЕРОВАНИХ ВПЛИВІВ
Проблема легування тісно пов’язана з визначенням домішкових рівнів, які виникають у напівпровідниках при його легуванні. Важливе місце займає питання дослідження розчинності легуючих добавок у напівпровіднику при різних...
ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЙНИХ ПОЛІВ НА ШВИДКІСТЬ РОЗПИЛЕННЯ ІОННИМ ПУЧКОМ НАДГРАТОК AlN/GaN
Досліджено розподіл механічних напружень в надгратці AlN/GaN та їх зміни внаслідок імплантації іонів інертних газів. Встановлено залежність швидкості розпилення іоним пучком від механічних напружень.