ВИРОБНИЦТВО ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ КРЕМНІЮ МЕТОДОМ ХІМІЧНОГО ОСАДЖЕННЯ З ПАРОВОЇ ФАЗИ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Розглянуто сучасний стан технологій формування епітаксійних шарів кремнію. Незважаючи на активні дослідження альтернативних процесів, на сьогодні основною промисловою технологією залишається хімічне осадження з парової фази.
Authors and Affiliations
Володимир Бахрушин
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539481
- DOI -
- Views 163
- Downloads 0
АНІЗОТРОПНІ МОДЕЛІ ЗРОСТАЮЧИХ ПОВЕРХОНЬ ТОНКИХ ПЛІВОК
Досліджується процес зростання тонкої плівки шляхом осадження частинок на поверхню субстрату, його аналітичний опис і відмінності від рівноважних проблем. Обговорюється доцільність нових чинників, таких як анізотропія і...
ПРУЖНІ ВЛАСТИВОСТІ МЕТАЛЕВОГО СКЛА Ni
У даній роботі вивчені температурні залежності констант пружності металевого скла Ni методами молекулярної динаміки (МД) та розраховані константи пружності у кристалічному стані і стані скла в інтервалі температур 0-700К...
ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ДЕФЕКТІВ НА ЯКІСТЬ ЕПІТАКСІЙНИХ КОМПОЗИЦІЙ І КОНТАКТНИХ СИСТЕМ ДЛЯ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ
Енергія є ключовим фактором, а також знаходиться в центрі економічних, соціальних і екологічних цілей сталого розвитку. Обсяг виробництва сонячних фотоелектричних систем зростає в середньому на 30% в рік. В статті запроп...
GaN CLUSTERS OBTAINED BY THE METHOD OF RADICAL-BEAM EPITAXY ON POROUS GaAs
This paper proposes an original method for producing gallium nitride clusters on substrates of nanoporous gallium arsenide by annealing the substrate in an atmosphere of nitrogen radicals. The porous surface of GaAs was...
THE USE OF RAPID THERMAL ANNEALING FOR THE FORMATION OF OXIDE FILMS IN THE STRUCTURE Dy2O3/por-SiC/SiC
Using Auger spectrometry techniques, we studied the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of dysprosium oxide films deposited onto a por-SiC/SiC. An analysis of atomic composition of the films under i...