ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ДЕФЕКТІВ НА ЯКІСТЬ ЕПІТАКСІЙНИХ КОМПОЗИЦІЙ І КОНТАКТНИХ СИСТЕМ ДЛЯ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2017, Vol 1, Issue
Abstract
Енергія є ключовим фактором, а також знаходиться в центрі економічних, соціальних і екологічних цілей сталого розвитку. Обсяг виробництва сонячних фотоелектричних систем зростає в середньому на 30% в рік. В статті запропоновано напрями поліпшення якості традиційних, а також освоєння нових напівпровідникових матеріалів і різних типів металізації. Особливо великі перспективи обіцяє застосування епітаксійних композицій для виготовлення фотоелектричних перетворювачів. Чітко проявляються тенденції створення найскладніших електронних пристроїв на основі багатошарових епітаксійних структур. При цьому формуються дуже високі вимоги до електрофізичних властивостей і досконалості структури кожного шару, ставляться завдання створення досконалих та різких p-n переходів і гетеромеж на великих площах епітаксійних композицій.
Authors and Affiliations
О. Ю. Небеснюк, А. О. Ніконова, Олександр Захода
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539532
- DOI -
- Views 183
- Downloads 0
СИСТЕМА ІНТЕЛЕКТУАЛЬНОГО АДРЕСНОГО БАЛАНСУВАННЯ ПОСЛІДОВНО З’ЄДНАНИХ НАКОПИЧУВАЧІВ ЕЛЕКТРИЧНОЇ ЕНЕРГІЇ
Наявність флуктуації потужності в мережі електропостачання призводить до зниження ефективності енергосистеми. Для компенсації пульсацій потужності в мережі електропостачання пропонується використання гібридних накопичува...
АВТОМАТИЗОВАНИЙ ПЛЕОПТИЧНИЙ ПРИЛАД ДЛЯ ДИНАМІЧНОГО АУТОТРЕНІНГУ
Метод, що реалізовується приладом називається динамічним аутотренінгом (ДА). У його основу покладена умовно-рефлекторна технологія, що дозволяє відновити контроль з боку нервової системи за процесами, що протікають в зор...
ФОРМУВАННЯ ІЗОТИПНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ ZNO/SI
Досліджено початкові стадії росту плівки ZnO на поверхні Si при кімнатній температурі методами AFM, XRR, XRD, SIMS, I-V та C-V. Показано, що діодна характеристика гетероперехіду ZnO/Si утворюватися лише при досягненні пе...
ВПЛИВ ПОСТ-ТЕХНОЛОГІЧНОГО ВІДПАЛУ НА СПЕКТРИ КОМБІНАЦІЙНОГО РОЗСІЯННЯ Cu2ZnSnS4, ОТРИМАНОГО МЕТОДОМ СВС
В роботі досліджено можливість отримання четверних сполук Cu2ZnSnS4 із структурою кестериту методом високотемпературного синтезу що самопоширюється. З даних Раманівського розсіювання світла встановлено, що синтезований м...
МІКРОЕЛЕКТРОННА ЕЛЕКТРОКАРДІОГРАФІЧНА СИСТЕМА ДИСТАНЦІЙНОГО МОНІТОРИНГУ
Вживання багатоканальних інтегральних сигма-дельта АЦП дозволяє будувати принципово нову схемотехніку цифрових електрокардіографів, що володіють цілим рядом споживчих і технічних переваг перед звичайними апаратами. Сигма...