GaN CLUSTERS OBTAINED BY THE METHOD OF RADICAL-BEAM EPITAXY ON POROUS GaAs

Abstract

This paper proposes an original method for producing gallium nitride clusters on substrates of nanoporous gallium arsenide by annealing the substrate in an atmosphere of nitrogen radicals. The porous surface of GaAs was obtained by electrochemical etching. The chemical composition of the surface was studied by the method of energy dispersive analysis of X-rays (EDAX), the morphology and photoluminescence in the visible spectral range of the obtained structures were also studied. It is shown that the photoluminescent properties of GaN clusters depend on the porosity of the GaAs substrate and the geometric dimensions of the formed clusters.

Authors and Affiliations

S. V. SIMCHENKO, І. В. РОГОЗІН, M. M. KAYKI

Keywords

Related Articles

РАДІОЧАСТОТНИЙ ІНДИКАТОР ШПИГУНСЬКИХ ПРИСТРОЇВ

Розглянуто розроблений та запропонований пристрій для виявлення шпигунських пристроїв.

ОТРИМАННЯ ПЛІВОК ZnO НА МАКРОПОРУВАТОМУ Si (100) МЕТОДОМ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РОЗПИЛЕННЯ

У даній роботі методом реактивного магнетронного ВЧ розпилення отримані плівки ZnO на підкладках кремнію орієнтації (100) з попередньо нанесеною системою макропор. Рентгенографічні дослідження ZnO показали, що вони мають...

МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ

Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщи...

РОЗРОБКА МОДЕЛЕЙ ЛЕГУВАННЯ З ВИКОРИСТАННЯМ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ТА ТЕМПЕРАТУРНИХ КЕРОВАНИХ ВПЛИВІВ

Проблема легування тісно пов’язана з визначенням домішкових рівнів, які виникають у напівпровідниках при його легуванні. Важливе місце займає питання дослідження розчинності легуючих добавок у напівпровіднику при різних...

АВТОМАТИЗОВАНИЙ ПЛЕОПТИЧНИЙ ПРИЛАД ДЛЯ ДИНАМІЧНОГО АУТОТРЕНІНГУ

Метод, що реалізовується приладом називається динамічним аутотренінгом (ДА). У його основу покладена умовно-рефлекторна технологія, що дозволяє відновити контроль з боку нервової системи за процесами, що протікають в зор...

Download PDF file
  • EP ID EP541537
  • DOI -
  • Views 175
  • Downloads 0

How To Cite

S. V. SIMCHENKO, І. В. РОГОЗІН, M. M. KAYKI (2018). GaN CLUSTERS OBTAINED BY THE METHOD OF RADICAL-BEAM EPITAXY ON POROUS GaAs. ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ, 2(), 36-37. https://europub.co.uk/articles/-A-541537