GaN CLUSTERS OBTAINED BY THE METHOD OF RADICAL-BEAM EPITAXY ON POROUS GaAs
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
This paper proposes an original method for producing gallium nitride clusters on substrates of nanoporous gallium arsenide by annealing the substrate in an atmosphere of nitrogen radicals. The porous surface of GaAs was obtained by electrochemical etching. The chemical composition of the surface was studied by the method of energy dispersive analysis of X-rays (EDAX), the morphology and photoluminescence in the visible spectral range of the obtained structures were also studied. It is shown that the photoluminescent properties of GaN clusters depend on the porosity of the GaAs substrate and the geometric dimensions of the formed clusters.
Authors and Affiliations
S. V. SIMCHENKO, І. В. РОГОЗІН, M. M. KAYKI
Keywords
Related Articles
- EP ID EP541537
- DOI -
- Views 168
- Downloads 0
СИСТЕМА ІНТЕЛЕКТУАЛЬНОГО АДРЕСНОГО БАЛАНСУВАННЯ ПОСЛІДОВНО З’ЄДНАНИХ НАКОПИЧУВАЧІВ ЕЛЕКТРИЧНОЇ ЕНЕРГІЇ
Наявність флуктуації потужності в мережі електропостачання призводить до зниження ефективності енергосистеми. Для компенсації пульсацій потужності в мережі електропостачання пропонується використання гібридних накопичува...
ОТРИМАННЯ ПЛІВОК ZnO НА МАКРОПОРУВАТОМУ Si (100) МЕТОДОМ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РОЗПИЛЕННЯ
У даній роботі методом реактивного магнетронного ВЧ розпилення отримані плівки ZnO на підкладках кремнію орієнтації (100) з попередньо нанесеною системою макропор. Рентгенографічні дослідження ZnO показали, що вони мають...
ВПЛИВ ЛЕГУВАННЯ Si КВАНТОВИХ ТОЧОК AlAs/InAs У ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ AlAs/InAs/GaAs
Для дослідження впливу легування були виготовлені сонячні елементи з квантовими точками InAs/GaAs у проміжній зоні, пролеговані Si. Присутність домішок Si в квантових точках призводить до покращення ефективності внаслідо...
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщи...
СХЕМО-ТЕХНІЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ І РОЗРАХУНКИ ПОПЕРЕДНЬОГО ПІДСИЛЮВАЧА ДЛЯ ФОТОМЕТРИЧНОГО АНАЛІЗАТОРА ДІАГНОСТИЧНОЇ ІНФОРМАЦІЇ
Розроблено структурну схему пристрою. Вибрано світлодіод та розраховано динамічний діапазон регулювання середнього значення струму через нього. Запропоновано методику розрахунку схеми попереднього підсилювача для пристро...