МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщины пористой пленки общее сопротивление увеличивается. Для оценки адекватности разработанной математической модели контакта металл-пористый арсенид галлия с барьером Шоттки были построены вольт-амперные характеристики и рассчитано общее контактное сопротивление для экспериментальных образцов с различной толщиной пористого слоя. Расхождение между результатами моделирования и экспериментальными данными не превышает 20%.
Authors and Affiliations
С. Э. ПРИТЧИН, А. Г. ХОЛОД
Keywords
Related Articles
- EP ID EP541739
- DOI -
- Views 148
- Downloads 0
МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ЕЛЕКТРИЧНОГО ЗМІЩЕННЯ НА НИЗЬКОЧАСТОТНИЙ ШУМ В ПОЛІКРИСТАЛІЧНОМУ КРЕМНІЇ
Представлена модель впливу процесів емісії та захвату на пастках на низькочастотний електричний шум меж зерен у полікристалічному кремнії. Ця модель враховує вплив прямого і зворотнього зміщення області просторового заря...
ТЕХНОЛОГІЯ І ВЛАСТИВОСТІ НИЗЬКО-РОЗМІРНИХ КОМПОЗИТНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ З ОКИСДНИМИ ПЛІВКАМИ TiO2
Проведено дослідження низько-розмірних композитних структур на основі пористого кремнію з оксидними плівками TiO2, одержання яких є перспективним для використання у якості підзатворного діелектрика в КМОН технології. Дос...
ПЕРЕНЕСЕННЯ ДОМІШКОВИХ АТОМІВ У НЕОДНОРІДНОМУ ПОЛІ МІКРОНАПРУЖЕНЬ ТЕКСТУРОВАНИХ ПОЛІКРИСТАЛІВ
З позиції вирішення статистичної крайової задачі мікромеханіки неоднорідних середовищ запропоновано математичну модель дифузійного перенесення домішок у неоднорідному полі мікронапружень. Розглянуто дифузійне перенесення...
РОЗРОБКА МОДЕЛЕЙ ЛЕГУВАННЯ З ВИКОРИСТАННЯМ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ТА ТЕМПЕРАТУРНИХ КЕРОВАНИХ ВПЛИВІВ
Проблема легування тісно пов’язана з визначенням домішкових рівнів, які виникають у напівпровідниках при його легуванні. Важливе місце займає питання дослідження розчинності легуючих добавок у напівпровіднику при різних...
ДОСЛІДЖЕННЯ КОДЕРІВ ЦИФРОВИХ ДАНИХ НА ОСНОВІ СКРЕМБЛЕРІВ
Проведено дослідження скремблірів на основі схемо технічного моделювання. Показано, що найбільш ефективним є варіант з 7 регістрами, 3 з яких створюють зворотний зв'язок за схемами 1000011; 1001001; 1100001.