ПЕРЕНЕСЕННЯ ДОМІШКОВИХ АТОМІВ У НЕОДНОРІДНОМУ ПОЛІ МІКРОНАПРУЖЕНЬ ТЕКСТУРОВАНИХ ПОЛІКРИСТАЛІВ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2017, Vol 1, Issue
Abstract
З позиції вирішення статистичної крайової задачі мікромеханіки неоднорідних середовищ запропоновано математичну модель дифузійного перенесення домішок у неоднорідному полі мікронапружень. Розглянуто дифузійне перенесення атомів у полі градієнта механічних напружень. Зазначену модель можна використовувати для оцінювання особливостей дифузійних процесів у дефектних кристалах, під час розробки технологій дифузії легуючих домішок до конкретних областей кристала або очищення їх від небажаних домішок.
Authors and Affiliations
Володимир Скачков, Татьяна Критская, Тарас Нестеренко
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539063
- DOI -
- Views 164
- Downloads 0
ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ДЕФЕКТІВ НА ЯКІСТЬ ЕПІТАКСІЙНИХ КОМПОЗИЦІЙ І КОНТАКТНИХ СИСТЕМ ДЛЯ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ
Енергія є ключовим фактором, а також знаходиться в центрі економічних, соціальних і екологічних цілей сталого розвитку. Обсяг виробництва сонячних фотоелектричних систем зростає в середньому на 30% в рік. В статті запроп...
СИСТЕМА ІНТЕЛЕКТУАЛЬНОГО АДРЕСНОГО БАЛАНСУВАННЯ ПОСЛІДОВНО З’ЄДНАНИХ НАКОПИЧУВАЧІВ ЕЛЕКТРИЧНОЇ ЕНЕРГІЇ
Наявність флуктуації потужності в мережі електропостачання призводить до зниження ефективності енергосистеми. Для компенсації пульсацій потужності в мережі електропостачання пропонується використання гібридних накопичува...
СТРУКТУРНА ПЕРЕБУДОВА МІКРОКЛАСТЕРІВ КРЕМНІЮ ПІДЧАС ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛА
Запропонована та досліджена імовірнісна модель розподілу мікрокластерів у формі ланцюжків з ковалентними міжатомними зв’язками в розплаві кремнію. Показано, що при температурах біля T = 1688 К в процесі вирощування монок...
THE USE OF RAPID THERMAL ANNEALING FOR THE FORMATION OF OXIDE FILMS IN THE STRUCTURE Dy2O3/por-SiC/SiC
Using Auger spectrometry techniques, we studied the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of dysprosium oxide films deposited onto a por-SiC/SiC. An analysis of atomic composition of the films under i...
ХАЛЬКОГЕНІДНІ СТЕКЛА ЛЕГОВАНІ ДРІБНОДИСПЕРСНИМ ZnS:Mn
В роботі проведенні дослідження халькогенідних стекол As-S, легованих дрібнодисперсним ZnS:Mn. Частинки сульфіду цинку вводились в халькогенідне скло двома способами: в процесі синтезу, і введенням частинок в розплав скл...