МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ЕЛЕКТРИЧНОГО ЗМІЩЕННЯ НА НИЗЬКОЧАСТОТНИЙ ШУМ В ПОЛІКРИСТАЛІЧНОМУ КРЕМНІЇ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2017, Vol 1, Issue
Abstract
Представлена модель впливу процесів емісії та захвату на пастках на низькочастотний електричний шум меж зерен у полікристалічному кремнії. Ця модель враховує вплив прямого і зворотнього зміщення області просторового заряду межі зерна на низькочастотні флуктуації напруги в цій області. Встановлено ослаблення збільшення низькочастотного шуму на межі зерна із підвищенням електричного зміщення. Цей факт пояснюється зменшенням функції заповнення та перерізу захвату пасток в області межі зерна полікристалічного кремнію при підвищенні прикладеної напруги
Authors and Affiliations
Ніна СТРОІТЄЛЄВА
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539373
- DOI -
- Views 175
- Downloads 0
ЗАСТОСУВАННЯ ПЛІВКОВОГО НАГРІВАЧА В СЕНСОРІ НА ОСНОВІ ЯВИЩА ПОВЕРХНЕВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСУ
В роботі продемонстровано можливість застосування тонкоплівкових композитних нагрівальних елементів (In2O3-20%, SnO2-80%) в сенсорах на основі явища поверхневого плазмонного резонансу з золотим плазмонним шаром. Це дозво...
ОСНОВНІ НАПРЯМКИ ПІДВИЩЕННЯ ЕФЕКТИВНОСТІ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА ОСНОВІ НЕВПОРЯДКОВАНОГО КРЕМНІЮ
-
SHORT-RANGE ORDER AND NANOPHASE SEPARATION IN As-S-Sb AND As-S-Se CHALCOGENIDE GLASSES
In present work the results of investigations on the influence of Sb doping (3, 15, 20, 25 30 at. %) on structural properties of As-S glasses and As-Se-S chalcogenide glasses upon systematic change of the Se- and S-conte...
ФОРМУВАННЯ ІЗОТИПНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ ZNO/SI
Досліджено початкові стадії росту плівки ZnO на поверхні Si при кімнатній температурі методами AFM, XRR, XRD, SIMS, I-V та C-V. Показано, що діодна характеристика гетероперехіду ZnO/Si утворюватися лише при досягненні пе...
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщи...