ЗАСТОСУВАННЯ ПЛІВКОВОГО НАГРІВАЧА В СЕНСОРІ НА ОСНОВІ ЯВИЩА ПОВЕРХНЕВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСУ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
В роботі продемонстровано можливість застосування тонкоплівкових композитних нагрівальних елементів (In2O3-20%, SnO2-80%) в сенсорах на основі явища поверхневого плазмонного резонансу з золотим плазмонним шаром. Це дозволило зменшити потужність споживання в 1,5 рази (з 3,4 Вт до 2,2 Вт) у порівнянні з об’ємними резистивними нагрівачами. Експериментальні оптичні характеристики запропонованого сенсора узгоджуються з чисельним моделюванням на основі математичного формалізму матриць розсіювання Джонса та формул Френеля. Відносна похибка моделі не перевищувала 0,03% по відношенню до результатів вимірювань.
Authors and Affiliations
Г. В. ДОРОЖИНСЬКА, Maslov V. P
ПОБУДОВА МЕТОДИКИ СИНТЕЗУ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ІНТЕГРОВАНОГО ДАТЧИКА ПОТУЖНОСТІ ВИПРОМІНЮВАНЬ
Запропоновано трьохрівневу методику синтезу та дослідження інтегрованих адаптивних датчиків на основі біполярного транзистора з польовим керуванням (БТПК). Побудована система адаптивного регулювання чутливості розроблени...
ОТРИМАННЯ ПЛІВОК ZnO НА МАКРОПОРУВАТОМУ Si (100) МЕТОДОМ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РОЗПИЛЕННЯ
У даній роботі методом реактивного магнетронного ВЧ розпилення отримані плівки ZnO на підкладках кремнію орієнтації (100) з попередньо нанесеною системою макропор. Рентгенографічні дослідження ZnO показали, що вони мають...
ПРОБЛЕМИ ТА ПЕРСПЕКТИВИ ЗАСТОСУВАННЯ СУЛЬФІДУ КАДМІЮ У СОНЯЧНІЙ ЕНЕРГЕТИЦІ
Наведені результати аналізу найважливіших технологічних характеристик сонячних елементів на основі сульфіду кадмію з точки зору їх використання у сонячній енергетиці. Надано оцінку перспектив такого використання.
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРИСТОГО Ge
германий является полупроводником, электрохимия которого изучена наиболее полно. Представления, развитые на основе исследований электрохимических свойств германия, являются основой электрохимии полупроводников и использу...
РОЗРОБКА МОДЕЛЕЙ ЛЕГУВАННЯ З ВИКОРИСТАННЯМ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ТА ТЕМПЕРАТУРНИХ КЕРОВАНИХ ВПЛИВІВ
Проблема легування тісно пов’язана з визначенням домішкових рівнів, які виникають у напівпровідниках при його легуванні. Важливе місце займає питання дослідження розчинності легуючих добавок у напівпровіднику при різних...