ПОБУДОВА МЕТОДИКИ СИНТЕЗУ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ІНТЕГРОВАНОГО ДАТЧИКА ПОТУЖНОСТІ ВИПРОМІНЮВАНЬ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2017, Vol 1, Issue
Abstract
Запропоновано трьохрівневу методику синтезу та дослідження інтегрованих адаптивних датчиків на основі біполярного транзистора з польовим керуванням (БТПК). Побудована система адаптивного регулювання чутливості розроблених датчиків залежно від рівня потужності випромінювання шляхом зміни умов проходження електричного струму в БТПК. Визначено, що розроблені датчиків потужності випромінювань (ДПВ) характеризуються адаптивним регулюванням чутливості для варіанту включення підсистеми чутливого елемента – керуючого елемента в ланцюг затвора БТПК в межах 0,125-7,5 мА/мВт та 0,267-1 мА/Вт в ланцюг бази БТПК
Authors and Affiliations
Єгор Кісельов, Андрій Таранець
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539553
- DOI -
- Views 186
- Downloads 0
ВПЛИВ ЛЕГУВАННЯ Si КВАНТОВИХ ТОЧОК AlAs/InAs У ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ AlAs/InAs/GaAs
Для дослідження впливу легування були виготовлені сонячні елементи з квантовими точками InAs/GaAs у проміжній зоні, пролеговані Si. Присутність домішок Si в квантових точках призводить до покращення ефективності внаслідо...
СХЕМО-ТЕХНІЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ І РОЗРАХУНКИ ПОПЕРЕДНЬОГО ПІДСИЛЮВАЧА ДЛЯ ФОТОМЕТРИЧНОГО АНАЛІЗАТОРА ДІАГНОСТИЧНОЇ ІНФОРМАЦІЇ
Розроблено структурну схему пристрою. Вибрано світлодіод та розраховано динамічний діапазон регулювання середнього значення струму через нього. Запропоновано методику розрахунку схеми попереднього підсилювача для пристро...
ОЦІНЮВАННЯ ВМІСТУ І ПОВЕДІНКИ ОПТИЧНО НЕАКТИВНИХ АТОМІВ КИСНЮ У СКЛАДІ ДОМІШКОВО-ДЕФЕКТНИХ КОМПЛЕКСІВ ПРИ ВИРОЩУВАННІ МОНОКРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ ЗА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСЬКОГО
Розроблено методику оцінювання концентрації кисню, що неконтрольовано входить до складу різноманітних комплексів та мікродефектів в монокристалах кремнію, вирощуваних за методом Чохральського,атоми якого випадають з твер...
ОТРИМАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАНОТРУБОК ZnO НА ПОВЕРХНІ ПОРУВАТОГО ZnSe
У роботі розглянуто виготовлення та дослідження покриттів ZnO на поруватій поверхні ZnSe. Поруваті підкладки отримано методом електрохімічного травлення. В результаті відпалу в потоці атомарного кисню наностовпці ZnSe ко...
GaN CLUSTERS OBTAINED BY THE METHOD OF RADICAL-BEAM EPITAXY ON POROUS GaAs
This paper proposes an original method for producing gallium nitride clusters on substrates of nanoporous gallium arsenide by annealing the substrate in an atmosphere of nitrogen radicals. The porous surface of GaAs was...