ВПЛИВ ЛЕГУВАННЯ Si КВАНТОВИХ ТОЧОК AlAs/InAs У ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ AlAs/InAs/GaAs
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Для дослідження впливу легування були виготовлені сонячні елементи з квантовими точками InAs/GaAs у проміжній зоні, пролеговані Si. Присутність домішок Si в квантових точках призводить до покращення ефективності внаслідок розширення спектру в інфрачервону область та наявності вбудованого заряду. Були виміряні вольт-амперні характеристики та спектри фотоЕРС. Виявлено, що легування збільшує струм в зворотному напрямку, проте зменшує сигнал фотоЕРС.
Authors and Affiliations
М. С. КОВАЛЬОВА
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539917
- DOI -
- Views 171
- Downloads 0
ФОРМУВАННЯ ІЗОТИПНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ ZNO/SI
Досліджено початкові стадії росту плівки ZnO на поверхні Si при кімнатній температурі методами AFM, XRR, XRD, SIMS, I-V та C-V. Показано, що діодна характеристика гетероперехіду ZnO/Si утворюватися лише при досягненні пе...
ХАЛЬКОГЕНІДНІ СТЕКЛА ЛЕГОВАНІ ДРІБНОДИСПЕРСНИМ ZnS:Mn
В роботі проведенні дослідження халькогенідних стекол As-S, легованих дрібнодисперсним ZnS:Mn. Частинки сульфіду цинку вводились в халькогенідне скло двома способами: в процесі синтезу, і введенням частинок в розплав скл...
ПЕРЕНЕСЕННЯ ДОМІШКОВИХ АТОМІВ У НЕОДНОРІДНОМУ ПОЛІ МІКРОНАПРУЖЕНЬ ТЕКСТУРОВАНИХ ПОЛІКРИСТАЛІВ
З позиції вирішення статистичної крайової задачі мікромеханіки неоднорідних середовищ запропоновано математичну модель дифузійного перенесення домішок у неоднорідному полі мікронапружень. Розглянуто дифузійне перенесення...
ПРУЖНІ ВЛАСТИВОСТІ МЕТАЛЕВОГО СКЛА Ni
У даній роботі вивчені температурні залежності констант пружності металевого скла Ni методами молекулярної динаміки (МД) та розраховані константи пружності у кристалічному стані і стані скла в інтервалі температур 0-700К...
РАДІОЧАСТОТНИЙ ІНДИКАТОР ШПИГУНСЬКИХ ПРИСТРОЇВ
Розглянуто розроблений та запропонований пристрій для виявлення шпигунських пристроїв.