ОЦІНЮВАННЯ ВМІСТУ І ПОВЕДІНКИ ОПТИЧНО НЕАКТИВНИХ АТОМІВ КИСНЮ У СКЛАДІ ДОМІШКОВО-ДЕФЕКТНИХ КОМПЛЕКСІВ ПРИ ВИРОЩУВАННІ МОНОКРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ ЗА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСЬКОГО
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2017, Vol 1, Issue
Abstract
Розроблено методику оцінювання концентрації кисню, що неконтрольовано входить до складу різноманітних комплексів та мікродефектів в монокристалах кремнію, вирощуваних за методом Чохральського,атоми якого випадають з твердого розчину, внаслідок чого втрачають свою оптичну активність. Через це концентрацію таких атомів кисню неможливо виміряти за загально прийнятою методикою вимірювання інфрачервоного поглинання. Запропоновано і розроблено спеціальну математичну модель контролю оптично неактивних домішок кисню у кремнії, застосування якої показало, що їхня концентрація порівняно з початковими ділянками помітно зростає у хвостовій частині монокристала. Результати оцінок свідчать, що комплекси та мікродефекти за участю атомів кисню утворюються при відносно високих температурах поблизу фронту кристалізації. При зниженні температури в тих частинах монокристала кремнію, які на протязі вирощування віддаляються від фронту кристалізації, відбувається частковий відпал деяких кисневих комплексів.
Authors and Affiliations
Олександр ГОЛОВКО, С. Л. Хрипко
Keywords
Related Articles
- EP ID EP538971
- DOI -
- Views 189
- Downloads 0
НАНОКЛАСТЕРИЗАЦИЯ Mn В ZnS:Mn,Mg, ПОЛУЧЕННОМ МЕТОДОМ САМОРАСПРОСТАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА
В работе исследовался ZnS:Mn,Mg, полученный методом самораспростаняющегося высокотемпературного синтеза (СВС) при одновременном введении примесей Mn и Mg. Исследования проводили методами энергодисперсионной рентгеновской...
СХЕМО-ТЕХНІЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ І РОЗРАХУНКИ ПОПЕРЕДНЬОГО ПІДСИЛЮВАЧА ДЛЯ ФОТОМЕТРИЧНОГО АНАЛІЗАТОРА ДІАГНОСТИЧНОЇ ІНФОРМАЦІЇ
Розроблено структурну схему пристрою. Вибрано світлодіод та розраховано динамічний діапазон регулювання середнього значення струму через нього. Запропоновано методику розрахунку схеми попереднього підсилювача для пристро...
МІКРОЕЛЕКТРОННИЙ ПРИЛАД КОНТРОЛЮ ІНТЕНСИВНОСТІ ІОНІЗУЮЧОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ
Розробка мікроелектронних приладів, які відрізняються високою чутливістю та точністю з енергозберігаючою системою живлення є важливим технічним завданням сучасності.
СИСТЕМА ІНТЕЛЕКТУАЛЬНОГО АДРЕСНОГО БАЛАНСУВАННЯ ПОСЛІДОВНО З’ЄДНАНИХ НАКОПИЧУВАЧІВ ЕЛЕКТРИЧНОЇ ЕНЕРГІЇ
Наявність флуктуації потужності в мережі електропостачання призводить до зниження ефективності енергосистеми. Для компенсації пульсацій потужності в мережі електропостачання пропонується використання гібридних накопичува...
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщи...