ОЦІНЮВАННЯ ВМІСТУ І ПОВЕДІНКИ ОПТИЧНО НЕАКТИВНИХ АТОМІВ КИСНЮ У СКЛАДІ ДОМІШКОВО-ДЕФЕКТНИХ КОМПЛЕКСІВ ПРИ ВИРОЩУВАННІ МОНОКРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ ЗА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСЬКОГО

Abstract

Розроблено методику оцінювання концентрації кисню, що неконтрольовано входить до складу різноманітних комплексів та мікродефектів в монокристалах кремнію, вирощуваних за методом Чохральського,атоми якого випадають з твердого розчину, внаслідок чого втрачають свою оптичну активність. Через це концентрацію таких атомів кисню неможливо виміряти за загально прийнятою методикою вимірювання інфрачервоного поглинання. Запропоновано і розроблено спеціальну математичну модель контролю оптично неактивних домішок кисню у кремнії, застосування якої показало, що їхня концентрація порівняно з початковими ділянками помітно зростає у хвостовій частині монокристала. Результати оцінок свідчать, що комплекси та мікродефекти за участю атомів кисню утворюються при відносно високих температурах поблизу фронту кристалізації. При зниженні температури в тих частинах монокристала кремнію, які на протязі вирощування віддаляються від фронту кристалізації, відбувається частковий відпал деяких кисневих комплексів.

Authors and Affiliations

Олександр ГОЛОВКО, С. Л. Хрипко

Keywords

Related Articles

ЗАСТОСУВАННЯ ПЛІВКОВОГО НАГРІВАЧА В СЕНСОРІ НА ОСНОВІ ЯВИЩА ПОВЕРХНЕВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСУ

В роботі продемонстровано можливість застосування тонкоплівкових композитних нагрівальних елементів (In2O3-20%, SnO2-80%) в сенсорах на основі явища поверхневого плазмонного резонансу з золотим плазмонним шаром. Це дозво...

ШЛЯХИ ПІДВИЩЕННЯ ЧУТЛИВОСТІ ФОТОПРИЙМАЛЬНОГО КАНАЛУ ІМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ДАЛЕКОМІРА

У роботі розглянуто структуру імпульсного лазерного далекоміра та способи його вдосконалення, а саме підвищення чутливості фотоприймального каналу за допомогою просвітлення вхідного вікна фотоприймача - кремнієвого фільт...

ОЦІНЮВАННЯ ВМІСТУ І ПОВЕДІНКИ ОПТИЧНО НЕАКТИВНИХ АТОМІВ КИСНЮ У СКЛАДІ ДОМІШКОВО-ДЕФЕКТНИХ КОМПЛЕКСІВ ПРИ ВИРОЩУВАННІ МОНОКРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ ЗА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСЬКОГО

Розроблено методику оцінювання концентрації кисню, що неконтрольовано входить до складу різноманітних комплексів та мікродефектів в монокристалах кремнію, вирощуваних за методом Чохральського,атоми якого випадають з твер...

СТРУКТУРНА ПЕРЕБУДОВА МІКРОКЛАСТЕРІВ КРЕМНІЮ ПІДЧАС ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛА

Запропонована та досліджена імовірнісна модель розподілу мікрокластерів у формі ланцюжків з ковалентними міжатомними зв’язками в розплаві кремнію. Показано, що при температурах біля T = 1688 К в процесі вирощування монок...

СИНТЕЗ ТА ВЛАСТИВОСТІ КЕРАМІЧНИХ ДІЕЛЕКТРИЧНИХ МАТЕРІАЛІВ ДЛЯ ЕФЕКТИВНИХ МІКРОРЕЗОНАТОРІВ В РАДІОСПЕКТРОСКОПІЧНИХ ДОСЛІДЖЕННЯХ

В роботі розглянута можливість суттєвого підвищення чутливості ЕПР спектрометра за рахунок розробки мініатюрного керамічного резонатора, синтезованого з діелектричних матеріалів. Проведено синтез різних видів кераміки та...

Download PDF file
  • EP ID EP538971
  • DOI -
  • Views 192
  • Downloads 0

How To Cite

Олександр ГОЛОВКО, С. Л. Хрипко (2017). ОЦІНЮВАННЯ ВМІСТУ І ПОВЕДІНКИ ОПТИЧНО НЕАКТИВНИХ АТОМІВ КИСНЮ У СКЛАДІ ДОМІШКОВО-ДЕФЕКТНИХ КОМПЛЕКСІВ ПРИ ВИРОЩУВАННІ МОНОКРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ ЗА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСЬКОГО. ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ, 1(), 3-12. https://europub.co.uk/articles/-A-538971