ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРИСТОГО Ge
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
германий является полупроводником, электрохимия которого изучена наиболее полно. Представления, развитые на основе исследований электрохимических свойств германия, являются основой электрохимии полупроводников и используются для объяснения электрохимических свойств других полупроводников и полупроводниковых материалов. Германий традиционно применяется в различных областях техники, а в последнее время все чаще используется и наноструктуры на его основе.
Authors and Affiliations
В. А. ДЕМЬЯНЕНКО-МАМОНОВА
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539841
- DOI -
- Views 162
- Downloads 0
МІКРОЕЛЕКТРОННА СИСТЕМА ПІДВИЩЕННЯ ЯКОСТІ МОН-ІНТЕГРАЛЬНІХ СХЕМ
Виявлено зв'язок між видами випробувань і дефектами, що проявляються при певному випробуванні, що дозволить підбирати потрібну програму випробувань. Синусоїдальний режим проведення електротермотренування КМОН інтегральни...
MAGNETIC SUSCEPTIBILITY MEASUREMENT SYSTEM SIMULATION
For the study of magnetic properties of materials an automated measuring system has been developed. Simulation of its elements allowed to optimize its parameters. the developed model meets the criteria of adequacy and ef...
ПЕРСПЕКТИВИ ЗАСТОСУВАННЯ ТОНКОПЛІВКОВИХ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА ОСНОВІ ТЕЛУРИДА КАДМІЮ
Розглянуті шляхи підвищення к.к.д. тонкоплівкових сонячних елементів на основі телурида кадмію. Надані рекомендації щодо подальших пошуків таких шляхів.
ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ДЕФЕКТІВ НА ЯКІСТЬ ЕПІТАКСІЙНИХ КОМПОЗИЦІЙ І КОНТАКТНИХ СИСТЕМ ДЛЯ ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ
Енергія є ключовим фактором, а також знаходиться в центрі економічних, соціальних і екологічних цілей сталого розвитку. Обсяг виробництва сонячних фотоелектричних систем зростає в середньому на 30% в рік. В статті запроп...
GaN CLUSTERS OBTAINED BY THE METHOD OF RADICAL-BEAM EPITAXY ON POROUS GaAs
This paper proposes an original method for producing gallium nitride clusters on substrates of nanoporous gallium arsenide by annealing the substrate in an atmosphere of nitrogen radicals. The porous surface of GaAs was...