ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРИСТОГО Ge
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
германий является полупроводником, электрохимия которого изучена наиболее полно. Представления, развитые на основе исследований электрохимических свойств германия, являются основой электрохимии полупроводников и используются для объяснения электрохимических свойств других полупроводников и полупроводниковых материалов. Германий традиционно применяется в различных областях техники, а в последнее время все чаще используется и наноструктуры на его основе.
Authors and Affiliations
В. А. ДЕМЬЯНЕНКО-МАМОНОВА
Keywords
Related Articles
- EP ID EP539841
- DOI -
- Views 148
- Downloads 0
ПЕРЕВІРКА ТОЧНОСТІ ВІДХИЛЕННЯ КАНТИЛЕВЕРУ АТОМНО-СИЛОВОГО МІКРОСКОПУ В ПРОЦЕСІ ДОСЛІДЖЕННЯ РЕЛЬЄФУ НАНОСТРУКТУРОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ
В матеріалах доповіді визначаються параметри, що впливають на точність відхилення кантилеверу атомно-силового мікроскопу та, відповідно, точність дослідження рельєфу наноструктурованих поверхонь. Показано, що найбільший...
НАНОКЛАСТЕРИЗАЦИЯ Mn В ZnS:Mn,Mg, ПОЛУЧЕННОМ МЕТОДОМ САМОРАСПРОСТАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА
В работе исследовался ZnS:Mn,Mg, полученный методом самораспростаняющегося высокотемпературного синтеза (СВС) при одновременном введении примесей Mn и Mg. Исследования проводили методами энергодисперсионной рентгеновской...
ВЛИЯНИЕ СОДЕРЖАНИЯ СЕРЫ И СЕЛЕНА НА КИНЕТИКУ ГИБЕЛИ ФОТОГЕНЕРИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Cu2ZnSn(SхSe1-х)4
Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости изучено влиянии содержания серы и селена на кинетику гибели фотогенерированных носителей тока в твердых растворах CZTSSe. Обнаружено, что при большем содержании се...
РАДІОЧАСТОТНИЙ ІНДИКАТОР ШПИГУНСЬКИХ ПРИСТРОЇВ
Розглянуто розроблений та запропонований пристрій для виявлення шпигунських пристроїв.
МОДЕЛЮВАННЯ РОБОЧИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ, ВИКОНАНИХ НА БАЗІ СТРУКТУРИ SnS/ZnS/FTO
Проведене числове моделювання таких експлуатаційних характеристик фотоелектричних перетворювачів, виконаних на базі структури SnS/ZnS/FTO, як: густина струму короткого замикання, напруга холостого ходу, фактор заповнення...