МІКРОЕЛЕКТРОННА СИСТЕМА ПІДВИЩЕННЯ ЯКОСТІ МОН-ІНТЕГРАЛЬНІХ СХЕМ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Виявлено зв'язок між видами випробувань і дефектами, що проявляються при певному випробуванні, що дозволить підбирати потрібну програму випробувань. Синусоїдальний режим проведення електротермотренування КМОН інтегральних схем, спрощує оснащення і пристосування, дозволяє розмістити більшу кількість приладів в камері тепла.
Authors and Affiliations
С. Л. Хрипко, О. В. ПОХИЛЕНКО
ОТРИМАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАНОТРУБОК ZnO НА ПОВЕРХНІ ПОРУВАТОГО ZnSe
У роботі розглянуто виготовлення та дослідження покриттів ZnO на поруватій поверхні ZnSe. Поруваті підкладки отримано методом електрохімічного травлення. В результаті відпалу в потоці атомарного кисню наностовпці ZnSe ко...
ПОБУДОВА МЕТОДИКИ СИНТЕЗУ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ІНТЕГРОВАНОГО ДАТЧИКА ПОТУЖНОСТІ ВИПРОМІНЮВАНЬ
Запропоновано трьохрівневу методику синтезу та дослідження інтегрованих адаптивних датчиків на основі біполярного транзистора з польовим керуванням (БТПК). Побудована система адаптивного регулювання чутливості розроблени...
GaN CLUSTERS OBTAINED BY THE METHOD OF RADICAL-BEAM EPITAXY ON POROUS GaAs
This paper proposes an original method for producing gallium nitride clusters on substrates of nanoporous gallium arsenide by annealing the substrate in an atmosphere of nitrogen radicals. The porous surface of GaAs was...
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ КОНТАКТА МЕТАЛЛ-ПОРИСТЫЙ АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
Разработана математическая модель описывающая зависимость общего сопротивления системы металлический контакт-пористый слой арсенида галлия-подложка арсенида галлия от пористости пленки, и показано что с увеличением толщи...
ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЙНИХ ПОЛІВ НА ШВИДКІСТЬ РОЗПИЛЕННЯ ІОННИМ ПУЧКОМ НАДГРАТОК AlN/GaN
Досліджено розподіл механічних напружень в надгратці AlN/GaN та їх зміни внаслідок імплантації іонів інертних газів. Встановлено залежність швидкості розпилення іоним пучком від механічних напружень.