МІКРОЕЛЕКТРОННА СИСТЕМА ПІДВИЩЕННЯ ЯКОСТІ МОН-ІНТЕГРАЛЬНІХ СХЕМ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Виявлено зв'язок між видами випробувань і дефектами, що проявляються при певному випробуванні, що дозволить підбирати потрібну програму випробувань. Синусоїдальний режим проведення електротермотренування КМОН інтегральних схем, спрощує оснащення і пристосування, дозволяє розмістити більшу кількість приладів в камері тепла.
Authors and Affiliations
С. Л. Хрипко, О. В. ПОХИЛЕНКО
Keywords
Related Articles
- EP ID EP541519
- DOI -
- Views 157
- Downloads 0
ПОВЕРХНОСТНЫЙ ПОТЕНЦИАЛ МЕЗОРАЗМЕРНЫХ ЧАСТИЦ ZnS:Mn, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ СВС
Исследована зависимость величины поверхностного потенциала от размера частиц микро- и мезо- фракций порошкообразного ZnS:Mn, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Показано хорошее согл...
ЗАСТОСУВАННЯ ПЛІВКОВОГО НАГРІВАЧА В СЕНСОРІ НА ОСНОВІ ЯВИЩА ПОВЕРХНЕВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСУ
В роботі продемонстровано можливість застосування тонкоплівкових композитних нагрівальних елементів (In2O3-20%, SnO2-80%) в сенсорах на основі явища поверхневого плазмонного резонансу з золотим плазмонним шаром. Це дозво...
SHORT-RANGE ORDER AND NANOPHASE SEPARATION IN As-S-Sb AND As-S-Se CHALCOGENIDE GLASSES
In present work the results of investigations on the influence of Sb doping (3, 15, 20, 25 30 at. %) on structural properties of As-S glasses and As-Se-S chalcogenide glasses upon systematic change of the Se- and S-conte...
ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЙНИХ ПОЛІВ НА ШВИДКІСТЬ РОЗПИЛЕННЯ ІОННИМ ПУЧКОМ НАДГРАТОК AlN/GaN
Досліджено розподіл механічних напружень в надгратці AlN/GaN та їх зміни внаслідок імплантації іонів інертних газів. Встановлено залежність швидкості розпилення іоним пучком від механічних напружень.
СХЕМО-ТЕХНІЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ І РОЗРАХУНКИ ПОПЕРЕДНЬОГО ПІДСИЛЮВАЧА ДЛЯ ФОТОМЕТРИЧНОГО АНАЛІЗАТОРА ДІАГНОСТИЧНОЇ ІНФОРМАЦІЇ
Розроблено структурну схему пристрою. Вибрано світлодіод та розраховано динамічний діапазон регулювання середнього значення струму через нього. Запропоновано методику розрахунку схеми попереднього підсилювача для пристро...