SHORT-RANGE ORDER AND NANOPHASE SEPARATION IN As-S-Sb AND As-S-Se CHALCOGENIDE GLASSES
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
In present work the results of investigations on the influence of Sb doping (3, 15, 20, 25 30 at. %) on structural properties of As-S glasses and As-Se-S chalcogenide glasses upon systematic change of the Se- and S-content are presented (As40Se40S20, As40Se20S40, As40Se10S50, As40S60, As40Se60). X-ray diffraction studies confirmed amorphous structure of glasses. Pair distribution functions have been obtained and analyzed, which testified about certain increase of the first coordination sphere radius after introduction of Sb into As-S. From obtained Raman spectra of As-Sb-S and As-Se-S it can be seen that structure changes.
Authors and Affiliations
L. A. Revutska, K. V. Shportko, A. V. Stronski, J. BARAN, O. Yo. Gudymenko, V. V. Kidalov, P. F. OLEKSENKO
Keywords
Related Articles
- EP ID EP541800
- DOI -
- Views 142
- Downloads 0
ДОСЛІДЖЕННЯ ОПТОЕЛЕКТРИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕТЕРОСТРУКТУР n-Si/n-ZnO/P-NiO
В даній роботі досліджувались вольтамперні та фольтфарадні характеристики гетеропереходів p-NiO/n-ZnO та n-ZnO/n-Si. Було показано, що дані структури мають високу фоточутливість, а також низький рівень дефектності.
ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СИСТЕМИ Zn3P2-Cd3P2
В межах квазікубічного наближення описано зонну структуру потрійних тетрагональних напівпровідників (ZNXCD1-X)3P2, запропоновано аналітичні залежності зонних параметрів від складу х. отримано правила відбору для міжзонни...
ВИРОБНИЦТВО ЕПІТАКСІЙНИХ ШАРІВ КРЕМНІЮ МЕТОДОМ ХІМІЧНОГО ОСАДЖЕННЯ З ПАРОВОЇ ФАЗИ
Розглянуто сучасний стан технологій формування епітаксійних шарів кремнію. Незважаючи на активні дослідження альтернативних процесів, на сьогодні основною промисловою технологією залишається хімічне осадження з парової ф...
ВПЛИВ ДЕФОРМАЦІЙНИХ ПОЛІВ НА ШВИДКІСТЬ РОЗПИЛЕННЯ ІОННИМ ПУЧКОМ НАДГРАТОК AlN/GaN
Досліджено розподіл механічних напружень в надгратці AlN/GaN та їх зміни внаслідок імплантації іонів інертних газів. Встановлено залежність швидкості розпилення іоним пучком від механічних напружень.
СТРУКТУРНА ПЕРЕБУДОВА МІКРОКЛАСТЕРІВ КРЕМНІЮ ПІДЧАС ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛА
Запропонована та досліджена імовірнісна модель розподілу мікрокластерів у формі ланцюжків з ковалентними міжатомними зв’язками в розплаві кремнію. Показано, що при температурах біля T = 1688 К в процесі вирощування монок...