ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ СИСТЕМЫ Cu2ZnSnS4 - Cu2ZnSnSe4
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Направленной кристаллизацией расплава выращены кристаллы соединений Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 и твердых растворов Cu2ZnSnS4хSe4(1-х). Методом микрорентгеноспектрального анализа определен состав полученных кристаллов, рентгеновским методом – их структура. Установлено, что как исходные соединения Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 так и твердые растворы на их основе кристаллизуются в тетрагональной структуре. Параметры элементарной ячейки а и с изменяются линейно в соответствии с законом Вегарда.
Authors and Affiliations
В. Ф. ГРЕМЕНОК, А. У. ШЕЛЕГ, В. Г. ГУРТОВОЙ, В. В. ХОРОШКО, Г. Ф. НОВИКОВ
Keywords
Related Articles
- EP ID EP541430
- DOI -
- Views 156
- Downloads 0
ВЛИЯНИЕ СОДЕРЖАНИЯ СЕРЫ И СЕЛЕНА НА КИНЕТИКУ ГИБЕЛИ ФОТОГЕНЕРИРОВАННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Cu2ZnSn(SхSe1-х)4
Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости изучено влиянии содержания серы и селена на кинетику гибели фотогенерированных носителей тока в твердых растворах CZTSSe. Обнаружено, что при большем содержании се...
ВПЛИВ ЛЕГУВАННЯ Si КВАНТОВИХ ТОЧОК AlAs/InAs У ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ AlAs/InAs/GaAs
Для дослідження впливу легування були виготовлені сонячні елементи з квантовими точками InAs/GaAs у проміжній зоні, пролеговані Si. Присутність домішок Si в квантових точках призводить до покращення ефективності внаслідо...
СТРУКТУРНА ПЕРЕБУДОВА МІКРОКЛАСТЕРІВ КРЕМНІЮ ПІДЧАС ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛА
Запропонована та досліджена імовірнісна модель розподілу мікрокластерів у формі ланцюжків з ковалентними міжатомними зв’язками в розплаві кремнію. Показано, що при температурах біля T = 1688 К в процесі вирощування монок...
МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ЕЛЕКТРИЧНОГО ЗМІЩЕННЯ НА НИЗЬКОЧАСТОТНИЙ ШУМ В ПОЛІКРИСТАЛІЧНОМУ КРЕМНІЇ
Представлена модель впливу процесів емісії та захвату на пастках на низькочастотний електричний шум меж зерен у полікристалічному кремнії. Ця модель враховує вплив прямого і зворотнього зміщення області просторового заря...
ПОБУДОВА МЕТОДИКИ СИНТЕЗУ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ІНТЕГРОВАНОГО ДАТЧИКА ПОТУЖНОСТІ ВИПРОМІНЮВАНЬ
Запропоновано трьохрівневу методику синтезу та дослідження інтегрованих адаптивних датчиків на основі біполярного транзистора з польовим керуванням (БТПК). Побудована система адаптивного регулювання чутливості розроблени...