ОСНОВНІ НАПРЯМКИ ПІДВИЩЕННЯ ЕФЕКТИВНОСТІ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА ОСНОВІ НЕВПОРЯДКОВАНОГО КРЕМНІЮ
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
-
Authors and Affiliations
Ніна СТРОІТЄЛЄВА
Keywords
Related Articles
- EP ID EP544606
- DOI -
- Views 167
- Downloads 0
SHORT-RANGE ORDER AND NANOPHASE SEPARATION IN As-S-Sb AND As-S-Se CHALCOGENIDE GLASSES
In present work the results of investigations on the influence of Sb doping (3, 15, 20, 25 30 at. %) on structural properties of As-S glasses and As-Se-S chalcogenide glasses upon systematic change of the Se- and S-conte...
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРИСТОГО Ge
германий является полупроводником, электрохимия которого изучена наиболее полно. Представления, развитые на основе исследований электрохимических свойств германия, являются основой электрохимии полупроводников и использу...
МІКРОЕЛЕКТРОННА ЕЛЕКТРОКАРДІОГРАФІЧНА СИСТЕМА ДИСТАНЦІЙНОГО МОНІТОРИНГУ
Вживання багатоканальних інтегральних сигма-дельта АЦП дозволяє будувати принципово нову схемотехніку цифрових електрокардіографів, що володіють цілим рядом споживчих і технічних переваг перед звичайними апаратами. Сигма...
ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СИСТЕМИ Zn3P2-Cd3P2
В межах квазікубічного наближення описано зонну структуру потрійних тетрагональних напівпровідників (ZNXCD1-X)3P2, запропоновано аналітичні залежності зонних параметрів від складу х. отримано правила відбору для міжзонни...
ХАЛЬКОГЕНІДНІ СТЕКЛА ЛЕГОВАНІ ДРІБНОДИСПЕРСНИМ ZnS:Mn
В роботі проведенні дослідження халькогенідних стекол As-S, легованих дрібнодисперсним ZnS:Mn. Частинки сульфіду цинку вводились в халькогенідне скло двома способами: в процесі синтезу, і введенням частинок в розплав скл...