ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СИСТЕМИ Zn3P2-Cd3P2
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
В межах квазікубічного наближення описано зонну структуру потрійних тетрагональних напівпровідників (ZNXCD1-X)3P2, запропоновано аналітичні залежності зонних параметрів від складу х. отримано правила відбору для міжзонних переходів. теоретично розраховано спектри поглинання в області фундаментального краю. проведено порівняльний аналіз отриманих теоретичних результатів з відомими експериментальними даними.
Authors and Affiliations
Д. М. СТЕПАНЧИКОВ, Н. Л. ДОН
Keywords
Related Articles
- EP ID EP541484
- DOI -
- Views 159
- Downloads 0
ОЦІНЮВАННЯ ВМІСТУ І ПОВЕДІНКИ ОПТИЧНО НЕАКТИВНИХ АТОМІВ КИСНЮ У СКЛАДІ ДОМІШКОВО-ДЕФЕКТНИХ КОМПЛЕКСІВ ПРИ ВИРОЩУВАННІ МОНОКРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ ЗА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСЬКОГО
Розроблено методику оцінювання концентрації кисню, що неконтрольовано входить до складу різноманітних комплексів та мікродефектів в монокристалах кремнію, вирощуваних за методом Чохральського,атоми якого випадають з твер...
МІКРОЕЛЕКТРОННА СИСТЕМА ПІДВИЩЕННЯ ЯКОСТІ МОН-ІНТЕГРАЛЬНІХ СХЕМ
Виявлено зв'язок між видами випробувань і дефектами, що проявляються при певному випробуванні, що дозволить підбирати потрібну програму випробувань. Синусоїдальний режим проведення електротермотренування КМОН інтегральни...
АНІЗОТРОПНІ МОДЕЛІ ЗРОСТАЮЧИХ ПОВЕРХОНЬ ТОНКИХ ПЛІВОК
Досліджується процес зростання тонкої плівки шляхом осадження частинок на поверхню субстрату, його аналітичний опис і відмінності від рівноважних проблем. Обговорюється доцільність нових чинників, таких як анізотропія і...
РОЗРОБКА МОДЕЛЕЙ ЛЕГУВАННЯ З ВИКОРИСТАННЯМ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИХ ТА ТЕМПЕРАТУРНИХ КЕРОВАНИХ ВПЛИВІВ
Проблема легування тісно пов’язана з визначенням домішкових рівнів, які виникають у напівпровідниках при його легуванні. Важливе місце займає питання дослідження розчинності легуючих добавок у напівпровіднику при різних...
ФОРМУВАННЯ ІЗОТИПНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ ZNO/SI
Досліджено початкові стадії росту плівки ZnO на поверхні Si при кімнатній температурі методами AFM, XRR, XRD, SIMS, I-V та C-V. Показано, що діодна характеристика гетероперехіду ZnO/Si утворюватися лише при досягненні пе...