ПОГЛИНАЮЧА ЗДАТНІСТЬ НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ СИСТЕМИ Zn3P2-Cd3P2
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
В межах квазікубічного наближення описано зонну структуру потрійних тетрагональних напівпровідників (ZNXCD1-X)3P2, запропоновано аналітичні залежності зонних параметрів від складу х. отримано правила відбору для міжзонних переходів. теоретично розраховано спектри поглинання в області фундаментального краю. проведено порівняльний аналіз отриманих теоретичних результатів з відомими експериментальними даними.
Authors and Affiliations
Д. М. СТЕПАНЧИКОВ, Н. Л. ДОН
Keywords
Related Articles
- EP ID EP541484
- DOI -
- Views 156
- Downloads 0
ДОСЛІДЖЕННЯ ОПТОЕЛЕКТРИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕТЕРОСТРУКТУР n-Si/n-ZnO/P-NiO
В даній роботі досліджувались вольтамперні та фольтфарадні характеристики гетеропереходів p-NiO/n-ZnO та n-ZnO/n-Si. Було показано, що дані структури мають високу фоточутливість, а також низький рівень дефектності.
МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ЕЛЕКТРИЧНОГО ЗМІЩЕННЯ НА НИЗЬКОЧАСТОТНИЙ ШУМ В ПОЛІКРИСТАЛІЧНОМУ КРЕМНІЇ
Представлена модель впливу процесів емісії та захвату на пастках на низькочастотний електричний шум меж зерен у полікристалічному кремнії. Ця модель враховує вплив прямого і зворотнього зміщення області просторового заря...
ВИМІРЮВАЛЬНАСИСТЕМА АБСОЛЮТНОГО ЕНКОДЕРА
Перетворювачі кутових переміщень широко застосовуються у всіх галузях промисловості і є невід'ємною частиною систем автоматизації виробничих процесів. Особливий економічний ефект від використання енкодерів дає застосуван...
МОДЕЛЮВАННЯ ПРИЛАДУ ДЛЯ РЕЄСТРАЦІЇ ЗАБРУДНЕНЬ В ЕНЕРОЗБЕРІГАЮЧИХ СИСТЕМАХ
Розробка приладу для реєстрації забруднень на напівпровідникових оптоструктурах, для використання в системах пожежної безпеки на виробництві та в побуті
ХАЛЬКОГЕНІДНІ СТЕКЛА ЛЕГОВАНІ ДРІБНОДИСПЕРСНИМ ZnS:Mn
В роботі проведенні дослідження халькогенідних стекол As-S, легованих дрібнодисперсним ZnS:Mn. Частинки сульфіду цинку вводились в халькогенідне скло двома способами: в процесі синтезу, і введенням частинок в розплав скл...