ИНФРОКРАСНЫЕ ПРИЕМНИКИ ИНФОРМАЦИИ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ
Journal Title: Наукові праці ОНАЗ ім. О.С. Попова - Year 2019, Vol 1, Issue 1
Abstract
В статье представлен фототранзистор (ПТШ – полевой транзистор Шоттки) с барьером Шоттки на основе контакта IrSi-Si индуцированного и р-канального встроенного типа, который имеет высокую фоточувствительность и более широкую область спектральной чувствительности по сравнению с диодами Шоттки и МОП (металл-оксид-полупроводник) и МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структурами. Исследованы вольтамперные характеристики затвора полевого транзистора, управляемого барьером Шоттки на основе контакта IrSı-Sı, определена зависимость токов затвора от напряжения. Существенное увеличение коэффициента заполнения Шоттки-матриц достигается считыванием заряда, накопленного в диоде Шоттки, не с помощью ПЗС (приборы с зарядной связью) – регистров, а путем его инжекции в сигнальную шину, аналогично ПЗИ (приборы с зарядной инжекцией) – структурам на узкозонных полупроводниках. В этом случае многоэлементная матрица содержит горизонтальные шины, для опроса элементов выбранной строки, вертикальные сигнальные шины, МОП-ключ (метал-оксид-полупроводник) для подключения опрашиваемого столбца и матрицы фоточувствительных элементов, каждый из которых состоит из фоточувствительного диода Шоттки и МОП-ключа. Экспериментальным способом установлено что, зависимость тока затвора ПТШ с индуцированным каналом показывает, что для напряжения с ИК-излучением транзисторной структуры, положительный заряд, удерживаемый в пленке IrSi, разряжается в кремниевую пленку, образуя фототок в затворе полевого транзистора. Рассмотренный ИК-детектор может быть совмещен с элементами интегральных схем, что открывает широкие перспективы для его использования в многоэлементных инфракрасных фотоприемниках большой степени интеграции.
Authors and Affiliations
E. A. Kerimov, M. M Hadzhyiev, L. V. Ivanova
Keywords
Related Articles
- EP ID EP657642
- DOI -
- Views 113
- Downloads 0
МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ ИНВЕРТИРУЮЩЕГО ТИПА С ГРАНИЧНЫМ РЕЖИМОМ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ
Выполнен анализ электрических процессов в импульсных преобразователях постоянного напряжения инвертирующего типа с автотрансформаторным и трансформаторным включением дросселя с граничным режимом функционирования. Предста...
КЛАСИЧНА ПРОПУСКНА ЗДАТНІСТЬ КВАНТОВИХ КАНАЛІВ ЗВ'ЯЗКУ ЗА РІЗНИХ МОДЕЛЕЙ ЗАВАД У КАНАЛАХ
Одержані аналітичні вирази для класичної пропускної здатності квантових каналів за різних моделей завад: деполяризувального каналу, каналу із загасанням амплітуди та каналу із загасанням фази при кодуванні інформації баз...
СИНТЕЗ ТАЙМЕРНИХ КОДІВ З МАКСИМАЛЬНИМИ ЗНАЧЕННЯМИ ІНФОРМАЦІЙНИХ ПАРАМЕТРІВ ПРИ ПОСТІЙНІЙ ТРИВАЛОСТІ
У даній статті реалізується таймерне кодування, що забезпечує збільшення потужності синтезованого коду за рахунок використання сигнальних конструкцій з різним числом інформаційних відрізків при постійній тривалості кодов...
МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ СИГНАЛЬНЫХ КОНСТРУКЦИЙ НА ОСНОВЕ ТАЙМЕРНЫХ СИГНАЛОВ И ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЕЙ УОЛША
Противодействие средствам радиотехнической разведки и несанкционированного доступа является важнейшей задачей при построении конфиденциальных систем связи, поэтому актуальным является разработка и исследование методов пе...
СИЛЬНО НЕЛИНЕЙНЫЕ ПОДСТАНОВКИ: МЕТОД СИНТЕЗА S-БЛОКОВ, ОБЛАДАЮЩИХ МАКСИМАЛЬНОЙ 4-НЕЛИНЕЙНОСТЬЮ
Одним из наиболее важных компонентов современных блочных симметричных криптоалгоритмов является S-блок. Так, качество криптопреобразования в целом во многом базируется на свойствах применяемого в нем S-блока, а именно: л...