Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures: comparative analysi
Journal Title: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej - Year 2015, Vol 8, Issue
Abstract
Magnetoresistive properties of Ni/TiO2/Ti and Ni/SiO2/Si structures obtained using template-based approach have been examined in the temperature range from 2 to 300 K. It was established that the main contribution into observed magnetoresistance is given by the silicon substrate, whereas influence of Ni is negligible small.
Authors and Affiliations
A. K. Fedotov, I. L. Baranov, M. V. Malashchonak, E. A. Streltsov, I. A. Svito, A. V. Mazanik
Keywords
Related Articles
- EP ID EP272602
- DOI -
- Views 90
- Downloads 0
Analiza metod kwantowania współczynników w potokowych filtrach rota torowych
W artykule przedstawiono wyniki badań nad wpływem kwantowania współczynników na wybrane parametry filtru rotatorowego. Wybrano kilka podstawowych metod kwantowania oraz zaproponowano własne rozwiązanie. W ramach przeprow...
Wielostanowa komórka pamięci magnetycznej - analiza czasowa szybkości zapisu oraz gęstości upakowania komórek
Przebadano model wielostanowej komórki pamięci magnetycznej. Przeprowadzono analizę ilości stanów stabilnych, wyznaczono natężenie sygnału przełączającego (pole Zeemana) pomiędzy stanami w zależności od czasu przełączani...
Inicjalizacja segmentacji k-means uwzględniająca rozkład gęstości pikseli
Artykuł przedstawia modyfikację inicjalizacji KKZ algorytmu k-means, uwzględniającą, oprócz wzajemnych odległości środków segmentów, również rozkład gęstości pikseli. Funkcja gęstości piksela jest sumą odwrotności odległ...
Reprezentacja wiedzy dziedzinowej działu serwisowego przy zastosowaniu OWL
W artykule dokonano przeglądu literaturowego formalnych metod reprezentacji wiedzy w postaci ontologii ze szczególnym uwzględnieniem standardów RDF oraz OWL. Wskazano następnie obszar wiedzy dziedzinowej z zakresu prawid...
Prototyp uniwersalnego modułu wielopunktowego pomiaru temperatury opartego na cyfrowych termometrach DS18B20
In this paper, the prototype of multi-point and multi-channel module to temperature measure is present. This module is based on digital thermometers DS18B20 by Maxim Integrated (Dallas Semiconductor). It is dedicated to...