Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
Journal Title: Хімія, фізика та технологія поверхні - Year 2018, Vol 9, Issue 2
Abstract
Relaxation of the excess minority carrier distribution in macroporous silicon structure was calculated using the finite difference method. The initial distribution of the excess minority carriers has two maxima after carrier generation by electromagnetic wavelength 0.95 μm with small absorption depth. The first maximum of the initial distribution function is in macroporous layer, the second one is in monocrystalline substrate. Surface recombination leads to the diffusion of excess charge carriers to recombination centers and creates the non-homogeneity of the excess charge carrier distribution. A rapid maximum decrease of the excess carrier distribution function in a macroporous layer and near the boundary of a macroporous layer and monocrystalline substrate is found. The slow decrease of the distribution function in a monocrystalline substrate is evaluated. We observed one maximum of the excess minority carrier distribution after homogeneous carrier generation by electromagnetic wavelength 1.05 μm with big absorption depth. The rate of change in the concentration of excess minority carriers decreases in time in macroporous silicon layer due to high recombination and increases due to diffusion to the surface of silicon substrate after generation by the electromagnetic wave 0.95 μm with small absorption depth. The rate of change in the concentration of excess minority carriers decreases in time in the entire structure after generation by the electromagnetic wave 1.05 μm with big absorption depth and small non-homogeneity.
Authors and Affiliations
L. A. Karachevtseva, V. F. Onyshchenko
Keywords
Related Articles
- EP ID EP460460
- DOI 10.15407/hftp09.02.158
- Views 106
- Downloads 0
Вплив розчинів хлористоводневої кислоти на розмір кристалітів гідроксіапатиту в порошках та їхню композитах з гіалуроновою кислотою
Сучасна медицина (стоматологія, ортопедія, травматологія) потребують створення нових композиційних материалів, подібних за структурою, хімічному складу та властивостям на природню кісткову тканин з покращенними характери...
Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
У роботі одержано плівки CdS на поруватих напівпровідникових підкладках Si технологією хімічного поверхневого осадження. Вивчено морфологію та хімічний склад отриманих структур. Розглянуто можливість застосування гетерос...
Електрофізичні властивості композитів вуглецеві нанотрубки/ NiCo
Одержано наночастинки NiCo на поверхні неокиснених та окиснених багатошарових вуглецевих нанотрубок (БВНТ) методом хімічного осадження відповідних карбонатів з розчину гідразингідрату, за температури його кипіння. Окисне...
CdS films on the porous substruction of Si obtained by chemical surface deposition
The purpose of this work is to develop a technology for the production of CdS films by chemical surface deposition on porous substrates of nanocrystalline silicon. The possibility of using the heterostructure CdS/porous-...
Вплив будови полімерної матриці на кінетичні та термомеханічні властивості органо-неорганічних композитів на основі ТЕОС
Досліджено вплив будови полімерної матриці гібридних органо-неорганічних композитів на основі системи моно- або диметакрилату та тетраетоксисилану, а також їх складу на термомеханічні властивості і молекулярну структуру...