Теоретичні аспекти процесів інтеркаляції: Узагальнені рівняння переносу типу Нернста-Планка для іонів та електронів в системі "електроліт - електрод"
Journal Title: Фізика і хімія твердого тіла - Year 2014, Vol 15, Issue 4
Abstract
Отримано узагальнені рівняння переносу типу Нернста-Планка для іонів та електронів в системі "електроліт - електрод" з використанням метода нерівноважного статистичного оператора. Рівняння переносу враховують ефекти пам’яті в часі та просторову неоднорідність.
Authors and Affiliations
П. Костробій, Б. Маркович, Р. Токарчук, Ю. Черноморець, М. Токарчук
Keywords
Related Articles
- EP ID EP314837
- DOI -
- Views 40
- Downloads 0
The Lithium Power Sources Based on Porous Carbon Material
The paper describes the use of porous carbon material (PCM), obtained from plant raw materials as anode of lithium power source (LPS). It is established that the electrochemical parameters of LPS at current density of C/...
Simulation of Self-Diffusion Effect in Gallium Phosphide Monocrystals
The processes of self-diffusion of P and Ga atoms by molecular dynamics method were considered. Shown that interstitial P atoms starts its movement through the crystal at T = 1 K, Ga – at T = 100 K. The transition from i...
Thermodynamics of Defects Subsystem of II-VI Crystalsin Gibbs Potential Aproximation: Modeling, Calculation
In example of II-VI ZnTe, CdTe crystals, using method which based on minimizing the thermodynamic potential of the "crystal-pair" as a function of defect concentration, have been calculated equilibrium concentration of p...
Improvement of Sorption Parameters of Nickel Ions on Bentonite in the Result of its Irradiation by Microwaves
The adsorption isotherms of nickel ions from aqueous solutions on bentonite, a natural argillaceous material, previously prepared using ultrahigh-frequency electromagnetic waves ("microwaves") were researched in the arti...
Electrical Conductivity and Magnetoresistance of Silicon Microstructures in The Vicinity to Metal-Insulator Transition
Complex research of silicon microcrystals with specific resistance from ρ<sub>300K</sub> = 0.025 Ohm × cm to ρ<sub>300K</sub> =0.007 Ohm × cm doped with boron transport impurity to concentrations corresponding to the tr...