Вимірювання питомого опору напівпровідника чотирьохзондовим методом
Journal Title: Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ - Year 2015, Vol 0, Issue 5
Abstract
У статтi розглянута методика вимiрювань i обчислювання питомого опору напiвпровiд- никiв, для яких можна забезпечити контакти з поверхнею без iнжекцiї носiїв заряду в об’єм. Наведенi формули для обчислення опору об’ємних кристалiв i тонких пластин, якi використовуються для iнтегральних схем.
Authors and Affiliations
А. С. Ольхова, В. О. Надточiй, І. О. Уколов
Возможность и сложность распознавания графов коллективом агентов
В работе рассматривается задача распознавания конечного графа коллективом агентов. Два агента-исследователя одновременно передвигаются по графу, считывают и изменяют отметки на элементах графа, передают необходимую инфор...
Устойчивость дислокаций, созданных активным источником в тонком приповерхностном слое кристалла полупроводника
Рассмотрена модель, в которой источник дислокаций заблокирован испущенными от него дислокациями в приповерхностном слое и они находятся под действием дислокационных сил изображения. Вычислены напряжения, действующие на д...
Про умови створення і функціонування шкільного підручника математики
У статті розглядаються питання, пов’язані з умовами створення і функціонування шкільного підручника математики.
Использование генетических алгоритмов для решения задачи о расщеплении множества
В работе предложен генетический алгоритм расщепления заданного множества. Этот алгоритм разбивает множество на два подмножества так, чтобы в каждом из них не содержалось целиком ни одно из подмножеств заданного семейства...
Наближення локально сумовних функцій малої гладкості операторами Валле Пуссена в інтегральній метриці
В роботi розглядаються питання наближення класiв Степанця L^ψ N операторами Вал- ле Пуссена в просторi L у випадку, коли множини L^ψ N складаються з функцiй малої гладкостi. Одержано асимптотичнi закони поведiнки верхнiх...