Электрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурах
Journal Title: Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ - Year 2016, Vol 0, Issue 6
Abstract
Структурные исследования ковалентных полупроводников, деформированных при низких температурах, показали важную роль вакансий в пластичности приповерхностных слоев. Дислокационные петли, возникающие под действием деформации в области объемного заряда p-n-перехода кремния, значительно снижают время жизни неравновесных носите- лей заряда, инжектируемых в базу. На вольтамперных характеристиках p-n-перехода с дислокациями обнаруживается резкое возрастание обратного тока.
Authors and Affiliations
В. А. Надточий, Н. К. Нечволод
Keywords
Related Articles
- EP ID EP261313
- DOI -
- Views 77
- Downloads 0
Вимірювання питомого опору напівпровідника чотирьохзондовим методом
У статтi розглянута методика вимiрювань i обчислювання питомого опору напiвпровiд- никiв, для яких можна забезпечити контакти з поверхнею без iнжекцiї носiїв заряду в об’єм. Наведенi формули для обчислення опору об’ємних...
ФОРМУВАННЯ ЕЛЕМЕНТIВ ТВОРЧОЇ ДIЯЛЬНОСТI УЧНIВ НА УРОКАХ МАТЕМАТИКИ
Стаття присвячена необхiдностi включення в процес навчання математики елементiв творчої дiяльностi. В ходi вивчення даної теми, виявлено, що формування елементiв творчої дiяльностi вiдбувається за допомогою спецiальних з...
Співвідношення між струмом і напругою на реактивному навантаженні у колі змінного струму
The article is devoted to the study of the relevance of the demonstration of phase correlations between current and voltage during the new and inductive loading in the school course. The possibilities of definition of ph...
Geogebra – інноваційний засіб для вивчення стереометрії
У статтi розглянуто проблему навчання школярiв за допомогою iнновацiйних систем ди- намiчної математики та застосування їх у навчаннi математики. Проаналiзовано програму GeoGebra та її iнструментарiй для розв’язування за...
ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО Ge МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ
В данной работе методом атомно-силовой микроскопии выполнены исследования поверхности образцов монокристаллического Ge , циклически деформированных одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температ...