Электрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурах

Abstract

Структурные исследования ковалентных полупроводников, деформированных при низких температурах, показали важную роль вакансий в пластичности приповерхностных слоев. Дислокационные петли, возникающие под действием деформации в области объемного заряда p-n-перехода кремния, значительно снижают время жизни неравновесных носите- лей заряда, инжектируемых в базу. На вольтамперных характеристиках p-n-перехода с дислокациями обнаруживается резкое возрастание обратного тока.

Authors and Affiliations

В. А. Надточий, Н. К. Нечволод

Keywords

Related Articles

Про доцільність вивчення теореми Фалеса у шкільному курсі геометрії

Ми звертаємо увагу на те, що належне використання методу координат дозволить набагато спростити розумiння як природностi, так i деталей доведення важливих тверджень, для яких при дiючому пiдходi використовується теорема...

ЗАБЕЗПЕЧЕННЯ НАСТУПНОСТI ЗМIСТУ НАВЧАННЯ В СИСТЕМI СТУПЕНЕВОЇ ВИЩОЇ ОСВIТИ ПРИ ВИВЧЕННI ВИЩОЇ МАТЕМАТИКИ

Стаття присвячена проблемам наступностi при вивченнi математики в навчальному комплексi «технiкум – ВНЗ III–IV рiвня акредитацiї».

ИССЛЕДОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО Ge МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ

В данной работе методом атомно-силовой микроскопии выполнены исследования поверхности образцов монокристаллического Ge , циклически деформированных одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температ...

Реалізація алгоритму представлення ланцюгових дробів гаусових чисел засобами мови програмування Free Pascal

У статтi розглядається реалiзацiя алгоритму представлення ланцюгових дробiв гаусових чисел засобами мови програмування Free Pascal. Автори розробили програму для такого представлення.

ВИКОРИСТАННЯ ОБЧИСЛЮВАЛЬНОЇ ТЕХНIКИ ПРИ ВИКЛАДАННI ФIЗИКИ У ВИЩИХ НАВЧАЛЬНИХ ЗАКЛАДАХ ПЕРШОГО РIВНЯ АКРЕДИТАЦIЇ

Стаття присвячена проблемi застосування комп’ютерних технологiй у навчально-виховному процесi з фiзики. В нiй представленi результати дослiдження впливу комп’ютерних технологiй на якiсть знань та рiвень навчальних досягн...

Download PDF file
  • EP ID EP261313
  • DOI -
  • Views 80
  • Downloads 0

How To Cite

В. А. Надточий, Н. К. Нечволод (2016). Электрические свойства Gе и Si, деформированных при низких температурах. Збірник наукових праць фізико-математичного факультету ДДПУ, 0(6), 56-60. https://europub.co.uk/articles/-A-261313