Моделювання розподілу потенціалу в бар’єрній структурі Шотткі з вбудованим шаром квантових точок
Journal Title: Фізика і хімія твердого тіла - Year 2014, Vol 15, Issue 4
Abstract
Побудовано математичну модель розподілу електростатичного потенціалу в поверхнево-бар'єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром квантових точок (КТ). Встановлено, що результуюче електричне поле в бар’єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром КТ визначається суперпозицією двох полів: електричного поля , створеного на межі контакту метал – n-напівпровідник з вбудованим шаром КТ та електричного поля , зумовленого на межі поділу КТ − напівпровідникова матриця з КТ. Показано, що потенціал вздовж напрямку розміщення КТ має осциляційний характер. Період осциляції визначається кроком розміщення КТ. У напрямку, перпендикулярному до межі контакту метал – легований n-типу напівпровідник з КТ, потенціал має спадний експоненційний характер.
Authors and Affiliations
Р. М. Пелещак, І. І. Лазурчак, М. В. Дорошенко, Н. Я. Кулик
Keywords
Related Articles
- EP ID EP314420
- DOI -
- Views 48
- Downloads 0
The Nature of the Formation of the Compounds MeIMeIIIP2S6(Se6) (where MeI - Cu, Ag; MeIII - In, Bi, Cr) and Methods of Growing for Their Single Crystals
Physico-chemical interaction in the systemsMeIMeIIIS2(Se2) -“P2S4(Se4)” was studied using X-ray powder diffraction and differential thermal analysis. The technological conditions of growing single crystals for the compou...
Structure and Thermoelectric Properties of Pb-Sb-Te, Pb-Bi-Te Vapor-Phase Condensates on Glass Substrates
The results of ACM- research of processes of structure and thermoelectric properties of vapor-phase condensates doped by Sb and Bi Lead telluride and solid solutions PbTe-Sb2Te3, PbTe-Bi2Te3, deposited on substrates of p...
Semiconductor Quantum Dots as Materials for Lasers Based on Them
Quantum dots (QDs) today belong to the central research objects of many scientific groups. The study of theproperties of structures of small size is important both for the further development of electronics, and for thei...
Sistem Criate Hight Vojltag Frequency-Impuls Electric Fields for the Obtaining Stress-Strain Surface
In this article development and criate new model phizical-technical obtaining material technological equipment the method higth-friquency plazmy plating-flame carboids and nitralloy cohesion hight-temepature metal IV - V...
Effect of Point Defect in Carbon Nanotube (8.0) on the Molecular Electrostatic Potential distribution Near it Edge
The influence of point defect on the electronic and spatial structure of carbon nanotubes (8.0) have been studied depending on the placement vacancies in the structure of nanotubes. On the basis of quantum-chemical calcu...