Моделювання розподілу потенціалу в бар’єрній структурі Шотткі з вбудованим шаром квантових точок

Journal Title: Фізика і хімія твердого тіла - Year 2014, Vol 15, Issue 4

Abstract

Побудовано математичну модель розподілу електростатичного потенціалу в поверхнево-бар'єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром квантових точок (КТ). Встановлено, що результуюче електричне поле в бар’єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром КТ визначається суперпозицією двох полів: електричного поля , створеного на межі контакту метал – n-напівпровідник з вбудованим шаром КТ та електричного поля , зумовленого на межі поділу КТ − напівпровідникова матриця з КТ. Показано, що потенціал вздовж напрямку розміщення КТ має осциляційний характер. Період осциляції визначається кроком розміщення КТ. У напрямку, перпендикулярному до межі контакту метал – легований n-типу напівпровідник з КТ, потенціал має спадний експоненційний характер.

Authors and Affiliations

Р. М. Пелещак, І. І. Лазурчак, М. В. Дорошенко, Н. Я. Кулик

Keywords

Related Articles

The Changes of Structure and Electrical Properties of Thin Films During Long-Term Aging

The changes of surface structure and electrical properties of crystalline thin films of ternary compounds (La, Y, Sc)-(Ni, Fe)-Ge with metal content not more than 50 at. percent, which are obtained by vacuum deposition,...

The Plasticing Effect on Structure Forming and Crystallization Processes in Polymer Blends of Polypropylene-Poly(Vinyl Alcohol)

There is one established, that glycerol’s injection in (7,0 ÷ 15,0) % of mass. amount into polymer blend of polypropylene/poly(vinyl alcohol) (PP/PVA) of mass equation 30/70 % is not changing the structure forming charac...

Research of High-Temperature Heat and Mass Transfer and Oxidation of Samples of Refractory Metals in the Air

The stationary modes of high temperature heat and mass transfer and the oxidation of conductors of refractory metals (tungsten and molybdenum) in the air are studied. The kinetics of oxides growth on the surface of these...

Theoretical and Experimental Investigations of Laser Annealing Non-Stoichiometric SiOx Films

In this work, spreading of temperature profiles and influence of a temperature on forming silicon nanoparticles in non-stoichiometric SiOx films after laser annealing is investigated. Using parabolic thermal conductivity...

Features Crystal Structure LaGa - Substituted Epitaxial Films Yttrium Iron Garnet. Determination of Defects

The results of studies conducted in this paper form a complete picture of strains acquired during film growth and further processing. With comprehensive thermodynamic and crystal chemistry analysis evaluated the presence...

Download PDF file
  • EP ID EP314420
  • DOI -
  • Views 51
  • Downloads 0

How To Cite

Р. М. Пелещак, І. І. Лазурчак, М. В. Дорошенко, Н. Я. Кулик (2014). Моделювання розподілу потенціалу в бар’єрній структурі Шотткі з вбудованим шаром квантових точок. Фізика і хімія твердого тіла, 15(4), 693-698. https://europub.co.uk/articles/-A-314420