НАНОДИОД ШОТТКИ КАК ИНСТРУМЕНТ ИССЛЕДОВАНИЯ КИНЕТИКИ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Показано, что метод нанодиода Шоттки является эффективным способом «визуализации» поверхностных реакциий может быть использован как новый физический метод в исследовании атомно-молекулярных и электронных процессов на поверхности твердых тел. Изучена кинетика хемотока, возбуждаемого в реакции рекомбинации на поверхности нанодиода Pd(15нм)/n-Si атомарных частиц (Н+Н, О+О, Н+О), а также в реакции молекул (Н2+О2), поступающих из газовой фазы. Для некоторых систем определена эффективность поступления хемоэлектронов во внешнюю цепь в расчёте на один акт взаимодействия (или на образующуюся молекулу продукта).
Authors and Affiliations
S. V. SIMCHENKO, В. В. СТЫРОВ
МІКРОЕЛЕКТРОННА СИСТЕМА ПІДВИЩЕННЯ ЯКОСТІ МОН-ІНТЕГРАЛЬНІХ СХЕМ
Виявлено зв'язок між видами випробувань і дефектами, що проявляються при певному випробуванні, що дозволить підбирати потрібну програму випробувань. Синусоїдальний режим проведення електротермотренування КМОН інтегральни...
ОЦІНЮВАННЯ ВМІСТУ І ПОВЕДІНКИ ОПТИЧНО НЕАКТИВНИХ АТОМІВ КИСНЮ У СКЛАДІ ДОМІШКОВО-ДЕФЕКТНИХ КОМПЛЕКСІВ ПРИ ВИРОЩУВАННІ МОНОКРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ ЗА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСЬКОГО
Розроблено методику оцінювання концентрації кисню, що неконтрольовано входить до складу різноманітних комплексів та мікродефектів в монокристалах кремнію, вирощуваних за методом Чохральського,атоми якого випадають з твер...
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ СИСТЕМЫ Cu2ZnSnS4 - Cu2ZnSnSe4
Направленной кристаллизацией расплава выращены кристаллы соединений Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4 и твердых растворов Cu2ZnSnS4хSe4(1-х). Методом микрорентгеноспектрального анализа определен состав полученных кристаллов, рентген...
МІКРОЕЛЕКТРОННИЙ ПРИЛАД КОНТРОЛЮ ІНТЕНСИВНОСТІ ІОНІЗУЮЧОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ
Розробка мікроелектронних приладів, які відрізняються високою чутливістю та точністю з енергозберігаючою системою живлення є важливим технічним завданням сучасності.
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПОРИСТОГО Ge
германий является полупроводником, электрохимия которого изучена наиболее полно. Представления, развитые на основе исследований электрохимических свойств германия, являются основой электрохимии полупроводников и использу...