НАНОДИОД ШОТТКИ КАК ИНСТРУМЕНТ ИССЛЕДОВАНИЯ КИНЕТИКИ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР
Journal Title: ЕЛЕМЕНТИ, ПРИЛАДИ ТА СИСТЕМИ В ЕЛЕКТРОНІЦІ - Year 2018, Vol 2, Issue
Abstract
Показано, что метод нанодиода Шоттки является эффективным способом «визуализации» поверхностных реакциий может быть использован как новый физический метод в исследовании атомно-молекулярных и электронных процессов на поверхности твердых тел. Изучена кинетика хемотока, возбуждаемого в реакции рекомбинации на поверхности нанодиода Pd(15нм)/n-Si атомарных частиц (Н+Н, О+О, Н+О), а также в реакции молекул (Н2+О2), поступающих из газовой фазы. Для некоторых систем определена эффективность поступления хемоэлектронов во внешнюю цепь в расчёте на один акт взаимодействия (или на образующуюся молекулу продукта).
Authors and Affiliations
S. V. SIMCHENKO, В. В. СТЫРОВ
Keywords
Related Articles
- EP ID EP544668
- DOI -
- Views 149
- Downloads 0
ПРОБЛЕМИ ТА ПЕРСПЕКТИВИ ЗАСТОСУВАННЯ СУЛЬФІДУ КАДМІЮ У СОНЯЧНІЙ ЕНЕРГЕТИЦІ
Наведені результати аналізу найважливіших технологічних характеристик сонячних елементів на основі сульфіду кадмію з точки зору їх використання у сонячній енергетиці. Надано оцінку перспектив такого використання.
ПОБУДОВА МЕТОДИКИ СИНТЕЗУ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ІНТЕГРОВАНОГО ДАТЧИКА ПОТУЖНОСТІ ВИПРОМІНЮВАНЬ
Запропоновано трьохрівневу методику синтезу та дослідження інтегрованих адаптивних датчиків на основі біполярного транзистора з польовим керуванням (БТПК). Побудована система адаптивного регулювання чутливості розроблени...
ВИМІРЮВАЛЬНАСИСТЕМА АБСОЛЮТНОГО ЕНКОДЕРА
Перетворювачі кутових переміщень широко застосовуються у всіх галузях промисловості і є невід'ємною частиною систем автоматизації виробничих процесів. Особливий економічний ефект від використання енкодерів дає застосуван...
THE USE OF RAPID THERMAL ANNEALING FOR THE FORMATION OF OXIDE FILMS IN THE STRUCTURE Dy2O3/por-SiC/SiC
Using Auger spectrometry techniques, we studied the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of dysprosium oxide films deposited onto a por-SiC/SiC. An analysis of atomic composition of the films under i...
ОСНОВНІ НАПРЯМКИ ПІДВИЩЕННЯ ЕФЕКТИВНОСТІ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ НА ОСНОВІ НЕВПОРЯДКОВАНОГО КРЕМНІЮ
-