Design and Technology Analysis Bipolar Transistors Based on High Performance Structures AlGaAs / GaAs Structures for Submicron LargeIntegrated Circuits Journal title: Фізика і хімія твердого тіла Authors: S. P. Novosyadlyj Novosyadlyj, S. I. Boyko Subject(s):
Comparisons Among p - Channel, n-Channel and Mixed n/p Channel OTFTs Journal title: ANALELE UNIVERSITATII DIN CRAIOVA - Seria Inginerie electrica Authors: Cristian Ravariu, Georgeta Alecu Subject(s): Electrical and Electronic Engineering, Engineering, Energy, Mechanical Engineering
Features of the Signal System of Automated Design of Frequency Converters Systems - Ultrahigh Frequencies Journal title: Фізика і хімія твердого тіла Authors: S. P. Novosyadlyj, I. I. Abramova Subject(s):
Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS Journal title: Фізика і хімія твердого тіла Authors: S.P. Novosyadlyi, V.S. Huzik Subject(s):
DIRECT FREQUENCY CONVERTER WITH ARTIFICIAL AND NATURAL COMMUTATION FOR BRUSHLESS ASYNCHRONIZED MACHINES Journal title: Електротехніка і Електромеханіка Authors: А.М. Galynovskiy, E.А. Lenskaya, N.P. Melnik Subject(s):
DESIGN AND DEVELOPMENT OF ULTRA LOW POWER WIRELESS PROGRAMMABLE COMPACT DEVICE Journal title: International Journal of Computer Science and Engineering Authors: Ravi K. Darji, Shailesh D. Gandhi Subject(s):
THE CAPACITIVE STORAGE DEVICE IN THE CIRCUIT OF SYNCHRONOUS MOTOR EXCITATION FOR THE FIELD FORCING AND DISCHARGE Journal title: Електротехніка і Електромеханіка Authors: D.V. Slobodeniuk, O.V. Bialobrzeski Subject(s):
DESIGN AND DEVELOPMENT OF ULTRA LOW POWER WIRELESS PROGRAMMABLE COMPACT DEVICE Journal title: International Journal of Electronics and Communication Engineering Authors: Ravi K. Darji, Shailesh D. Gandhi Subject(s):
The Effect of Gamma Rays on the Main Static Characteristics of SiGe Transistors Journal title: Вісник НТУУ КПІ. Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування Authors: O. Dvornikov, V. Dziatlau, N. Prokopenko Subject(s):
The main characteristics of SiGe HBTs at low temperatures Journal title: Вісник НТУУ КПІ. Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування Authors: О. Dvornikov, V. Tchekhovski, N. Prokopenko Subject(s):
Ion-selective field-effect transistors. Threshold voltage calculation Journal title: Вісник НТУУ КПІ. Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування Authors: M. Prischepa, S. Lozovyi Subject(s):
Regulated four tact transistor inductance Journal title: Вісник НТУУ КПІ. Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування Authors: P. Gavrasienko, V. Kychak, A. Ovcharuk Subject(s):
Efficiency of Microwave Oscillators Phase-Noise Reduction Advices. Journal title: Вісник НТУУ КПІ. Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування Authors: B. Kotserzhynskyi Subject(s):
Simulation of an operational amplifier based on MOS transistors Journal title: Вісник НТУУ КПІ. Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування Authors: I. Rozdobudko, K. Dotsenko Subject(s):
A stabilizer with the small falling of tension on a regulative element Journal title: Вісник НТУУ КПІ. Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування Authors: O. Malyukin, V. Piddubnyi Subject(s):
